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存储器的产业链简单介绍：存储器行业产业链上游主要为材料及设备供应环节；中游为存储器生产供应环节；下游广泛应用于计算机、消费电子、网络通信、汽车电子、智能终端等各个领域。中游存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种，其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM），非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）等；下游主要应用于消费电子、信息通信、汽车电子、服务器、工业电子等领域。上游参与者为硅片、光刻胶、电子特种气体等原材料供应商和光刻设备、刻蚀设备、检测设备等设备供应商。深圳存储器芯片厂家供货，深圳存储器芯片科技公司。广州非易失性存储器原厂授权分销商

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。[2]浙江非易失性存储器全型号找原装存储器芯片就找千百路科技。

2020年市场份额分别为12.1%、10.6%、7.7%、1.5%。2.光刻胶。光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，在半导体工业、PCB、平板显示等领域广泛应用。数据显示，我国光刻胶市场规模由2017年58.7亿元增至2020年84亿元，年均复合增长率为12.7%。中商产业研究院预测，2022年我国光刻胶市场规模可达98.6亿元。3.特种气体。随着国家政策的推动、高新技术的发展，以及下游需求的不断增长，特种气体市场规模持续快速增长。

MicrochipTechnologyInc.（纳斯达克股市代号：MCHP）是全球的整合单片机、模拟器件、FPGA、联网器件及电源管理半导体器件的供应商。其简单易用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够打造比较好设计，在降低风险的同时降低系统总成本，缩短上市时间。公司的解决方案已为工业、汽车、消费、航天和通信以及计算市场中超过13万家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市，提供出色的技术支持、可靠的产品和卓yue的质量。专业提供进口原装存储器芯片、国产原装大品牌电源管理芯片。

AT24C02功能描述：支持I2C，总线数据传送协议I2C，总线协议规定任何将数据传送到总线的器件作为发送器。任何从总线接收数据的器件为接收器。数据传送是由产生串行时钟和所有起始停止信号的主器件控制的。主器件和从器件都可以作为发送器或接收器，但由主器件控制传送数据(发送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以组成000~111八种情况，即通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将比较多8个AT24C02器件连接到总线上，通过进行不同的配置进行选择器件。千百路科技是一家专注于存储器系列芯片的深圳代理公司。海珠可读可写存储器分类

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目前，国内外企业、研究机构等对于相变存储器的研发正加速推进，其商业化的布局已经展开。近年来，我国在相变存储器领域的研究稳步进行，结合芯片制造与集成工艺的设计，形成自身的研究特色。存储器新技术的快速发展将给我们带来弯道超车的机会，未来相变存储技术的突破将加速我国芯片产业自主化进程。PCM器件的典型结构由顶部电极、晶态GST、α/晶态GST[、热绝缘体、电阻（加热器）、底部电极组成。相变存储器主要可以用来替代计算机主存、硬盘和闪存：①相变存储器访问相应时间短，并且具有字节可寻址特性，其写延迟约为DRAM的10倍，使他在设计参考中固件代码的直接执行上显现出优势，并研究用来作为DRAM的替代品，传统使用的DRAM的方法是在计算机断电后主存的数据全部丢失，计算机重启需要重新从外存读取操作系统数据，消耗较多时间。广州非易失性存储器原厂授权分销商

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