南沙高速缓冲存储器好不好

动态随机存储器（DynamicRAM），“动态”两字指的是每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。这是因为DRAM的基本单元是一个晶体管加一个电容，并用电容有无电荷来表示数字信息0和1，电容漏电很快，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给DRAM的电容充电，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，这种简单的存储模式也使得DRAM的集成度远高于SRAM，一个DRAM存储单元只需一个晶体管和一个小电容，而每个SRAM单元需要四到六个晶体管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及价格方面均比SRAM有优势。SRAM多用于对性能要求极高的地方（如CPU的一级二级缓冲），而DRAM则主要用于计算机的内存条等领域。深圳存储器IC芯片，全系列存储器多库存，提供样品，元器件配套。南沙高速缓冲存储器好不好

AT24C02功能描述：支持I2C，总线数据传送协议I2C，总线协议规定任何将数据传送到总线的器件作为发送器。任何从总线接收数据的器件为接收器。数据传送是由产生串行时钟和所有起始停止信号的主器件控制的。主器件和从器件都可以作为发送器或接收器，但由主器件控制传送数据(发送或接收)的模式，由于A0、A1和A2可以组成000~111八种情况，即通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将比较多8个AT24C02器件连接到总线上，通过进行不同的配置进行选择器件。存储器怎么样深圳存储器芯片现货，深圳千百路工业科技有限公司提供一站式服务，存储器IC系列全型号选型。

ATMEL非易失性存储器：ATMEL是非易失性存储器NVM(掉电时数据仍然保持而不丢失)的先驱。非易失的特性使得这些存储器非常适合于小体积的便携产品以及电池供电的设备，因为它们不需要耗电的转动式磁盘或CDROM。ATMEL具有广阔的NVM产品线:EEPROM，一次更新一个字，适合做数据存储;高密度FLASH存储器，一次更新一个存储块，适合于存储程序或者是象图形一类的大数据对象。此外，ATMEL还提供各种不同的配置和接口方式以匹配各种应用的确切需要。ATMEL是世界上串行和并行FLASH存储器的先导者，其产品可以满足计算、汽车、电信、消费产品应用市场的程序和数据存储的需要。ATMEL近期另一个创新的产品线是融合了FLASH和EEPROM优点的DataFlash(r)。它利用片内的RAM做缓存，实现了一次只读/写一位的特殊功能。而所有这些都只需要很少的连线就可以完成。此外，ATMEL还继续生产EPROM以满足以往项目的需要。

作为非易失性存储器技术的创建之父，ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品(比如PC，存储产品，DVD，娱乐平台，游戏和玩具)服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外，ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备ATMEL公司是是世界上高级半导体产品设计、制造和行销的先导者，产品包括了微处理器、可编程逻辑器件、非易失性存储器、安全芯片、混合信号及RF射频集成电路。通过这些重要技术的组合，ATMEL生产出了各种通用目的及特定应用的系统级芯片，以满足当今电子系统设计工程师不断增长和演进的需求。存储器芯片IC系列实时报价-现货服务。

目前，国内外企业、研究机构等对于相变存储器的研发正加速推进，其商业化的布局已经展开。近年来，我国在相变存储器领域的研究稳步进行，结合芯片制造与集成工艺的设计，形成自身的研究特色。存储器新技术的快速发展将给我们带来弯道超车的机会，未来相变存储技术的突破将加速我国芯片产业自主化进程。PCM器件的典型结构由顶部电极、晶态GST、α/晶态GST[、热绝缘体、电阻（加热器）、底部电极组成。相变存储器主要可以用来替代计算机主存、硬盘和闪存：①相变存储器访问相应时间短，并且具有字节可寻址特性，其写延迟约为DRAM的10倍，使他在设计参考中固件代码的直接执行上显现出优势，并研究用来作为DRAM的替代品，传统使用的DRAM的方法是在计算机断电后主存的数据全部丢失，计算机重启需要重新从外存读取操作系统数据，消耗较多时间。存储器芯片代理，提供全系列进口原装存储器IC-欢迎垂询。南京随机存储器

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SRAM的特点---SRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，缺点是集成度较低，功耗较DRAM大，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。基本特点特点归纳：◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。◎SRAM使用的系统：○CPU与主存之间的高速缓存。○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。○CMOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。南沙高速缓冲存储器好不好

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