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存储器产业链上游分析1.硅片半导体硅片是生产集成电路、存储器、传感器等半导体产品的关键材料。随着芯片制造产能的持续扩张，中国硅片产业市场规模呈高速增长趋势。2019-2021年，中国半导体硅片市场规模连续超过10亿美元，2021年市场规模达16.56亿美元，同比增长24.04%，预计2022年国内半导体硅片市场规模将增加至19.22亿美元。与国际主要半导体硅片供应商相比，中国大陆半导体硅片企业技术较为薄弱，市场份额占比较小，技术工艺水平以及良品率控制等与国际先进水平相比仍具有明显差距。国内半导体硅片企业包括沪硅产业、中环股份、立昂微、中晶科技等，存储器原厂供货-批零价格优势、质量保障。白云掩膜只读存储器原厂授权分销商

存储器的分类：按存储介质分1、半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。2、磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。折叠按存储方式分1、随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。2、顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。折叠按存储器的读写功能分1、只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。2、随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。福州高速缓冲存储器组成选择存储器芯片IC找千百路科技-提供样品，元器件配套服务。

之前部分研究者采用将NOR闪存作为主存，可以解决计算机掉电数据丢失问题，但是闪存有擦写次数有限，随机写性能较差，写延迟较大等的缺点，而采用相变存储器或者基于相变存储器的异构主存方法可以更好地解决上述问题；②相变存储器的随机读写性能能够有效地解决大规模科学计算中小粒度随机I/O对磁盘访问所造成的I/O瓶颈，用相变存储器代替传统的硬盘具有很大的优势；③闪存和相变存储器都是新型非易失性存储器，没有机械装置并且可随机读写，但是和相变存储器相比，闪存的读写性能略显不足，特别是写入前需要整块擦除的缺陷，导致闪存只能通过一系列更加复杂的技术化才能替代存储系统的部分功能。

AT24C02是Ateml公司的2KB的电可擦除存储芯片，采用两线。是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储。1.数据线上的看门狗定时器。2.可编程复位门栏电平。3.高数据传送速率为400KHz和IIC总线兼容。4.2.7V至7V的工作电压。5.低功耗CMOS工艺。6.8字节页写缓冲区。7.片内防误擦除写保护。8.高低电平复位信号输出。9.100万次擦写周期。10.数据保存可达100年。11.商业级、工业级和汽车温度范围。AT24C02的存储容量为2Kbit，内容分成32页，每页8Byte，共256Byte，操作时有两种寻址方式:芯片寻址和片内子地址寻址。(1)芯片寻址:AT24C02的芯片地址为1010，其地址控制字格式为1010A2A1A0R/W。其中A2，A1，A0可编程地址选择位。A2，A1，A0引脚接高、低电平后得到确定的三位编码，与1010形成7位编码，即为该器件的地址码。R/W为芯片读写控制位，该位为0，表示芯片进行写操作。(2)片内子地址寻址:芯片寻址可对内部256B中的任一个进行读/写操作，其寻址范围为00~FF，共256个寻址单位。找存储器IC芯片，选择千百路工业科技，提供样品，现货质量保证，为制造企业优化成本。

ATMEL的主要市场。ATMEL专注于高增长的电子设备市场，如通讯、计算、消费类产品、安全产品、汽车电子和工业应用。在通讯领域，ATMEL可以提供一系列从手机的FLASH存储器到无线语音和数据通讯所需的复杂元件和芯片集。不断壮大的基带控制器和射频元件家族则瞄准了传统的市场以及新兴的市场，如WLAN和蓝牙，以及正为网络和消费产品快速接受的高带宽无线互连技术。根据预测，随着移动电话技术从2.5G到3G的演进，一个基于公共通讯协议UMTS，地域上覆盖欧洲、USA和亚洲，数量高达几十亿的手机市场将得以产生。ATMEL可以为这个市场提供基于SiGe工艺的RF射频元件，基带处理器和非易失性存储器。作为非易失性存储器技术的创建之父，ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品（比如PC，存储产品，DVD，娱乐平台，游戏和玩具）服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外，ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备。深圳存储器芯片采购就是选千百路科技，一家专注存储器系列芯片的公司，超全型号。大连掩膜只读存储器全系列

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MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。特点：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在关闭电源的情况下，数据也能得以保存而不丢失。相对而言，传统半导体存储器如eSRAM需要依赖持续供电以保存数据（易失性）。另外，相比于同样是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作电压与逻辑电压一致（1.1V），而不像eFlash那样需要高电压（8-12V），且其写入过程不需要先进行擦写操作。2.速度快、耐久力强：相较eFlash微秒级的擦写速度，eMRAM可达到纳秒量级，接近eSRAM。耐久力强，指的是eMRAM可反复擦写的次数几乎接近于无限次,高于eFlash。白云掩膜只读存储器原厂授权分销商

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