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ATMEL非易失性存储器：ATMEL是非易失性存储器NVM(掉电时数据仍然保持而不丢失)的先驱。非易失的特性使得这些存储器非常适合于小体积的便携产品以及电池供电的设备，因为它们不需要耗电的转动式磁盘或CDROM。ATMEL具有广阔的NVM产品线:EEPROM，一次更新一个字，适合做数据存储;高密度FLASH存储器，一次更新一个存储块，适合于存储程序或者是象图形一类的大数据对象。此外，ATMEL还提供各种不同的配置和接口方式以匹配各种应用的确切需要。ATMEL是世界上串行和并行FLASH存储器的先导者，其产品可以满足计算、汽车、电信、消费产品应用市场的程序和数据存储的需要。ATMEL近期另一个创新的产品线是融合了FLASH和EEPROM优点的DataFlash(r)。它利用片内的RAM做缓存，实现了一次只读/写一位的特殊功能。而所有这些都只需要很少的连线就可以完成。此外，ATMEL还继续生产EPROM以满足以往项目的需要。深圳专业老牌电子公司，多品牌原装芯片代理经销，满足不同电子厂家生产需要。白云可编程存储器原厂授权分销商

AT24C08提供8192位的串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)，组织形式为1024字×8位字长。AT24C08适用于许多要求低功耗和低电压操作的工业级或商业级应用。工作温度范围:-40°C~+85°C。器件标号:24，器件标记:24C04，存储器电压Vcc:2.5V，存储器类型:EEPROM，接口类型:Serial,I2C，电压,Vcc:5.5V，电源电压:5.5V，电源电压:1.8V，片标号:24C04，表面安装器件:通孔安装，逻辑功能号:24C04，频率:1MHz。AT24C02是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储芯片。中文名称ATt24c04,存储器配置512x8bit,封装类型DIP,针脚数8,存储器容量4Kbit.广州可擦可编程只读存储器哪家好存储器芯片代理分销企业，全新系列存储器芯片IC。

2020年市场份额分别为12.1%、10.6%、7.7%、1.5%。2.光刻胶。光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，在半导体工业、PCB、平板显示等领域广泛应用。数据显示，我国光刻胶市场规模由2017年58.7亿元增至2020年84亿元，年均复合增长率为12.7%。中商产业研究院预测，2022年我国光刻胶市场规模可达98.6亿元。3.特种气体。随着国家政策的推动、高新技术的发展，以及下游需求的不断增长，特种气体市场规模持续快速增长。

SRAM(静态数据随机存取存储器)主要用于：通用性的商品。asynchronous界面，比如28针32Kx8的chip(一般取名为XXC256)，及其相近的商品数比较多16Mbit一片;synchronous界面，一般用作高速缓存(cache)及其它规定突发传送的应用，比较多18Mbit(256Kx72)一片。集成于芯片之内。作为微处理器的RAM或是cache(一般从32bytes到128kilobytes);作为强劲的微控制器的主caches，如x86系列与很多其它CPU(从8kiB到上百万字节数的数量级)。作为寄存器使用。用于特殊的ICs或ASIC(一般在几千字节数量级);用于FPGA与CPLD。

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SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，异步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（corecellsarray），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(SenseAmplifier），控制电路（controlcircuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。[2]寻找存储器芯片就找「千百路」，提供样板，帮助选型，用心选择。南沙非易失性存储器原理

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MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。特点：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在关闭电源的情况下，数据也能得以保存而不丢失。相对而言，传统半导体存储器如eSRAM需要依赖持续供电以保存数据（易失性）。另外，相比于同样是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作电压与逻辑电压一致（1.1V），而不像eFlash那样需要高电压（8-12V），且其写入过程不需要先进行擦写操作。2.速度快、耐久力强：相较eFlash微秒级的擦写速度，eMRAM可达到纳秒量级，接近eSRAM。耐久力强，指的是eMRAM可反复擦写的次数几乎接近于无限次,高于eFlash。白云可编程存储器原厂授权分销商

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