增城可擦可编程只读存储器好不好

时间:2023年02月23日 来源:

ATMEL对质量的承诺ATMEL在各个层次都对质量有明确的承诺。所有的ATMEL地点都经过ISO9001认证,大多数经过QS9000认证,有一些还通过了旨在保护环境的ISO14001认证。所有ATMEL的运做都受公司内部详细的质量规范所控制,并定期进行回顾和更新。其目的就是进行持续不断的改进,提高客户的总体满意度。ATMEL的质量小组与客户合作进行质量审计,以保证ATMEL符合客户的质量要求。从客户项目获得的经验将反馈到下一次产品的生产。ATMEL保持产品和技术更新的方法是已经在实行的研究和开发的合作。研发项目与主要客户和大学合作进行,从而获得先进的功能模块,以及工艺技术的改进。ATMEL在全球拥有40个设计中心,分别专注于产品开发、工程支持以及深度应用开发。为了开发复杂的SoC产品,ATMEL设立了先进的基于平台的设计流程,在投片之前大量使用仿真平台进行软硬件验证。这种方法大幅度减少了设计周期并消除了许多错误。为了支持这些高附加值的产品,ATMEL建立了一个丰富的IP库。库里包括先进的RISC微控制器和外设,DSP核,嵌入式存储器,工业标准的接口,高精度、高速度的模拟转换器,RF电路和电源管理宏单元。专业存储器代理经销,提供全系列进口存储器芯片IC-千百路工业科技。增城可擦可编程只读存储器好不好

ATMEL的主要市场。ATMEL专注于高增长的电子设备市场,如通讯、计算、消费类产品、安全产品、汽车电子和工业应用。在通讯领域,ATMEL可以提供一系列从手机的FLASH存储器到无线语音和数据通讯所需的复杂元件和芯片集。不断壮大的基带控制器和射频元件家族则瞄准了传统的市场以及新兴的市场,如WLAN和蓝牙,以及正为网络和消费产品快速接受的高带宽无线互连技术。根据预测,随着移动电话技术从2.5G到3G的演进,一个基于公共通讯协议UMTS,地域上覆盖欧洲、USA和亚洲,数量高达几十亿的手机市场将得以产生。ATMEL可以为这个市场提供基于SiGe工艺的RF射频元件,基带处理器和非易失性存储器。作为非易失性存储器技术的创建之父,ATMEL将继续把这个重要能力集成到为计算和消费产品(比如PC,存储产品,DVD,娱乐平台,游戏和玩具)服务的复杂产品之中。除了与不断涌现的电子设备制造商建立合作关系之外,ATMEL的高密度存储器产品、微控制器和ASIC同样可以应用到工业控制、图像处理和汽车设备。福州折叠可编程只读存储器现货库存深圳原装存储器芯片,深圳电子元器件供应商。

AT24C02功能描述:支持I2C,总线数据传送协议I2C,总线协议规定任何将数据传送到总线的器件作为发送器。任何从总线接收数据的器件为接收器。数据传送是由产生串行时钟和所有起始停止信号的主器件控制的。主器件和从器件都可以作为发送器或接收器,但由主器件控制传送数据(发送或接收)的模式,由于A0、A1和A2可以组成000~111八种情况,即通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将比较多8个AT24C02器件连接到总线上,通过进行不同的配置进行选择器件。

SRAM的特点---SRAM是英文StaticRAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,缺点是集成度较低,功耗较DRAM大,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。基本特点特点归纳:◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。◎SRAM使用的系统:○CPU与主存之间的高速缓存。○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。○CMOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。专业存储芯片,需要存储器芯片IC选千百路科技,提供样品,技术服务。

SRAM主要用于二级高速缓存(Level2Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。SRAM的速度快但昂贵,一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存(cache).SRAM也有许多种,如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,异步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突发SRAM),还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。基本的SRAM的架构如图1所示,SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(corecellsarray),行/列地址译码器(decode),灵敏放大器(SenseAmplifier),控制电路(controlcircuit),缓冲/驱动电路(FFIO)。SRAM是静态存储方式,以双稳态电路作为存储单元,SRAM不像DRAM一样需要不断刷新,而且工作速度较快,但由于存储单元器件较多,集成度不太高,功耗也较大。[2]存储器芯片IC系列实时报价-现货服务。惠州可读可写存储器技术服务

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AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器,是具有8K系统可编程Flash存储器。使用Atmel公司高密度非易失性存储器技术制造,与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统内编程,亦适于常规编程器。在单芯片上,拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash,使得AT89S52在众多嵌入式控制应用系统中得到广泛应用。主要性能1、与MCS-51单片机产品兼容;2、8K字节在系统可编程Flash存储器;3、1000次擦写周期;4、全静态操作:0Hz-33MHz;5、三级加密程序存储器;6、32个可编程I/O口线;7、三个16位定时器/计数器;8、6个中断源;9、全双工UART串行通道;10、低功耗空闲和掉电模式;11、掉电后中断可唤醒;12、看门狗定时器;13、双数据指针;14、掉电标识符。14、掉电标识符。增城可擦可编程只读存储器好不好

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