上海大功率可控硅模块组件
可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。淄博正高电气有限公司是多层次的组织与管理模式。上海大功率可控硅模块组件
相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。
可控硅模块的主要参数有:
(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 枣庄高压可控硅模块品牌创造价值是我们永远的追求!
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化
可控硅模块的用途
可控硅模块具有硅整流器件的特性,相当于或类似于可控制的单向(或双向)二极管,利用其可控功能,实现了弱电流对强电的控制。此外,晶闸管具有体积小、结构简单、功能强、重量轻、效率高、控制灵活等优点。晶闸管可用于下列过程:
1、可控整流:将交流电转换成可调直流电;
2、逆变器:将直流电转换成交流电;
3、变频:将一个频率的交流电转换为另一个频率的交流电或可调频率的交流电;
4、交流调压:将固定交流电压转换为有效值可调的交流电压;
5、斩波:将固定直流电压转换为平均可调直流电压;
6、无触点通断:用无触点开关代替交流接触器实现开关控制。 欢迎各界朋友莅临参观。
任何的东西都有其使用的寿命,可控硅也不例外,可控硅模块使用时间长了,它的温度就会升高,如果温度过高就容易损坏,并且降低使用寿命,这就需要大家来看看可控硅模块的升温方法:
1 可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高,温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响,环境温度数值的读取与工作温度数值的读取应同时进行。
2 可控硅模块温升按下式计算:式中:Δt--可控硅模块的温升(℃)。
3 可控硅模块工作温度的测定:被测可控硅模块温升的测定,通常与减速机的承载能力及传动效率测定同时进行,也可单独进行,被测减速机在符合规定时,读取它在额定转速、额定输入功率下的工作温度
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一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗明显增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。 上海大功率可控硅模块组件
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