吉林新型半导体放电管

时间:2023年12月26日 来源:

固体放电管又称为半导体放电管,半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。半导体放电管应用领域?1.配线架保安单元2.通信线路,防止浪涌3.电话机,防止雷击4.用于阴极射线管,如电脑显示屏5.无线电接收机,如汽车收音机、收录机和移动天线等。半导体放电管特点·精确的导通电压,快速的响应速度(小于ns)、浪涌吸收能力强、电容值低、双向对称、可靠性高、能实现多路保护。应用:广泛应用在网络通讯及消费类电子产品、高速数据传输设备(T1/E1、X
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主要技术参数及使用选择1.直流放电电压在上升陡度低于100V/s的电压作用下,放电管开始放电的平均电压值称为其直流放电电压。由于放电的分散性,所以,直流放电电压是一个数值范围。2.冲击放电电压在具有规定上升陡度的暂态电压脉冲作用下,放电管开始放电的电压值称为其冲击放电电压。放电管的响应时间或动作时延与电压脉冲的上升陡度有关,对于不同的上升陡度,放电管的冲击放电电压是不同的。3.工频耐受电流放电管通过工频电流5次,使管子的直流放电电压及绝缘电阻无明显变化的最大电流称为其工频耐受电流。4.冲击耐受电流将放电管通过规定波形和规定次数的脉冲电流,使其直流放电电压和绝缘电阻不会发生明显变化的最大值电流峰值称为管子的冲击耐受电流。这一参数是在一定波形和一定通流次数下给出的,制造厂通常给出在8/20us波形下通流10次的冲击耐受电流,也有给出在10/1000us波形下通流300次的冲击耐受电流。四川半导体放电管批发厂家深圳市凯轩业科技有限公司,半导体放电管信赖之选。

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气体放电管和压敏电阻组合构成的抑制电路图4是气体放电管和压敏电阻组合构成的浪涌抑制电路。由于压敏电阳有一致命缺点:具有不稳定的漏电流,性能较差的压敏电阻使用一段时间后,因漏电流变大可能会发热自爆。为解决这一问题在压敏电阻之间串入气体放电管但这又带来了缺点就是反应时间为各器件的反应时间之和。例如压敏电阻的反应时间为25ns,气体放电管的反应时间为100ns,则图4的r2g,r3的反应时间为150ns,为改善反应时间加入r1压敏电阻,这样可使反应时间为25ns。

气体放电发光原理放电通常比白炽灯更有效,这是由于其辐射来自高于固体灯丝能达到的温度区域。放电是比钨更有选择的发射体(可移向可见区或者紫外区而远离红外辐射x),因此在红外辐射区有更少的能量浪费放电形成等离子体,它是离子、电子形成的混合体,平均呈电中性。一般必须有与等离子体的电子连接,通常是电极,但无电极连接也是可能的。气体放电示意图:空心圆表示可被电离和形成等离子体的气体原子。当带有正电荷的粒子在电场作用下定向位移时,就形成了放电电流。阴极必须能发射出足够多的电子,以维持电流的持续,而阳极则接收电流。图中的电阻是直流放电时起限制电流作用的镇流器。圆中有*符号的表示是被高能电子激发的原子,他们会产生辐射。当一个足够大的电场加在气体上,气体被击穿而导电。**熟悉的例子是闪电。产生击穿是由于自然界中总有数量很小的、由宇宙射线或者自然放射所产生的以电子-离子对形式存在的电离。外加的电场使电子加速(离子相对是静止的)气体放电管原装厂家直销选凯轩业电子科技有限公司。

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工作原理·反向工作状态(K端接正、A端接负)·正向工作状态(A端接正、K端接负)D阻断区:此时器件两端所加电压低于击穿电压,J1正偏,J2为反偏,电流很小,起了阻挡电流的作用,外加电压几乎都加在了J2上。2雪崩区:当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时,反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时,结区内电场**增强,从而引起倍增效应加强。于是,通过J2结的电流突然增大,并使流过器件的电流也增大,这就是电压增加,电流急剧增加的雪崩区。3负阻区:当外加电压增加到大于VBO时,由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对,此时这些载流子在强场的作用下,电子进入n2区,空穴进入p1区,由于不能很快复合而分别堆积起来,使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降,起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱,降落在J2结上的外电压将下降,雪崩效应也随之减弱。气体放电管按照高效率弧光放电的气体物理原理工作。从电气的角度看,气体放电管就是压敏开关。甘肃多功能半导体放电管

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半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。吉林新型半导体放电管

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