XB5307H电源管理IC拓微电子
XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D E36L DGHG DGHG 7KFG 7KFD E50H E50A E50G b6w 70JC DHJB D4JD D4JF DFJG L30H DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BUSBC1 口或者 USBC2 插入充电电源,可直接启动充电。XB5307H电源管理IC拓微电子
XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF、XB5307H电源管理IC拓微电子DS6066-2S-30W+DC方案:可用于空调服、加热服及其他外部DC供电应用。
低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同,区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下,功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态,因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压,稳压器就能运作,稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高,因为输出级的阻抗较大,较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系,会耗用额外的电流,增加功耗,在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题,但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用,而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步,这两方面的问题都得以改善。
锂电池充电管理XA4246:丝印:2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印:55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058;丝印:58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057;丝印:57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059;丝印:59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017:丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印:5056 、XA4217丝印:HXN-WL镍氢镍锌电池充电管理。
芯纳科技:锂电池充电管理XA4246:丝印:2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印:55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058;丝印:58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057;丝印:57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059;丝印:59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017:丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印:5056 、XA4217丝印:HXN-WL变更连接在 BFSEL 管脚的下拉电阻的阻值,可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压。XB4155I2S电源管理IC芯纳科技
高耐压 OVP线性充电管理。XB5307H电源管理IC拓微电子
DS2730 的测温管脚 TS 集成了电流源,结合外部的温敏电阻(NTC),用于监测应用系统中关键元件的温度,并根据温度动态调整输出功率。实际应用中,NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近,例如,芯片SW 开关节点、功率 MOS 或电感附近。选择不同阻值的 Rs 电阻,可以微调过温阈值。 内置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。高精度 ADC 用于检测精度要求高的信号(例如,负载电流),高速 ADC 用于检测响应速度要求高的信号(例如,输出电压),并配置了窗口比较功能,可以根据检测结果做出快速反应。XB5307H电源管理IC拓微电子