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    所述负载连接于所述第三电容的两端；所述第二采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚，另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型还提供一种电源模组，所述电源模组至少包括：上述合封整流桥的封装结构，第四电容，变压器，二极管，第五电容，负载及第三采样电阻；所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线，零线管脚连接零线，信号地管脚接地；所述第四电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚，另一端接地；所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚，另一端连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚；所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管及所述第五电容连接所述第二线圈的另一端；所述二极管的正极连接所述变压器的第二线圈，负极连接所述第五电容；所述负载连接于所述第五电容的两端；所述第三采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚，另一端接地。更可选地，所述合封整流桥的封装结构还包括电源地管脚，所述整流桥的第二输出端通过基岛或引线连接所述电源地管脚；所述电源地管脚与所述信号地管脚通过第二电感连接，所述电源地管脚与所述高压供电管脚通过第六电容连接。 将交流电转为直流电的电能转换形式称为整流（AC/DC变换），所用电器称为整流器，对应电路称为整流电路。云南西门康SEMIKRON整流桥模块厂家电话

    所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上，接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain，采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs，高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图6所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流桥的封装结构1，第四电容c4，变压器，二极管d，第五电容c5，负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示，所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线，零线管脚n连接零线，信号地管脚gnd接地。如图6所示，所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端接地。如图6所示，所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv，另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。 甘肃西门康SEMIKRON整流桥模块销售厂家整流桥可以有4个单独的二极管连接而成。

    所以在自然冷却散热的情况下，整流桥的大部分损耗是通过该引脚把热量传递给PCB板，然后由PCB板扩充其换热面积而散发到周围的环境中去。具体的分析计算如下:1、整流桥表面热阻如图2所示，可以得到整流桥的正向散热面距热源的距离为，背向散热面距热源的距离为，因此忽约其热量在这四个表面的散发，可以得到整流桥正面和背面的传热热阻为:一个二极管的热阻为:由于在同一时间，整流桥内的四个二极管只有两个在同时进行工作，因此整流桥正面与背面的传热热阻应分别为两个二极管热阻的并联，即:由于整流桥表面到周围空气间的散热为自然对流换热，则整流桥壳体表面的自然冷却热阻为:由上所述，可以得到整流桥通过壳体表面(正面和背面)的结温与环境的热阻分别为:则整流桥通过壳体表面途径对环境进行传热的总热阻为:2、整流桥引脚热阻假设整流桥焊接在PCB板上，其引脚的长度为(从二极管的基铜板到PCB板上的焊盘)，则整流桥一个引脚的热阻为:在整流桥内部，四个二极管是分成两组且每组共用一个引脚铜板，因此整流桥通过引脚散热的热阻为这两个引脚的并联热阻:一方面由于PCB板的热容比较大，另一方面冷却风与PCB板的接触面积较大，其换热条件较好。

    所述负载为led灯串，所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv，负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示，所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs，另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用，适用于高压线性(3w～12w)。实施例二如图3所示，本实施例提供一种合封整流桥的封装结构，与实施例一的不同之处在于，所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df，且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示，在本实施例中，所述高压续流二极管df采用n型二极管，所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上，正极通过金属引线连接漏极基岛15，进而实现与所述漏极管脚drain的连接。需要说明的是，所述高压续流二极管df也可采用p型二极管，粘接于漏极基岛15上，在此不一一赘述。如图3所示，所述功率开关管121的漏极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上，源极s通过金属引线连接所述采样管脚cs。所述逻辑电路122为芯片结构，其底面为绝缘材料，设置于所述信号地基岛14上，控制信号输出端out通过金属引线连接所述功率开关管121的栅极g，采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。 电容的容量越大，其波形越平缓，利用电容的充放电使输出电压的脉动幅度变小。这就是二极管的全桥整流电路。

    从前面对整流桥带散热器来实现其散热过程的分析中可以看出，整流桥主要的损耗是通过其背面的散热器来散发的，因此在此讨论整流桥壳温如何确定时，就忽约其通过引脚的传热量。现结合RS2501M整流桥在110VAC电源模块上应用的损耗(大为)来分析。假设整流桥壳体外表面上的温度为结温(即)，表面换热系数为(在一般情况下，强迫风冷的对流换热系数为20~40W/m2C)。那么在环境温度为，通过整流桥正表面散发到环境中的热量为:忽约整流桥引脚的传热量，则通过整流桥背面的传热量为:由于在整流桥壳体表面上的两个传热途径上(壳体正面、壳体背面)的热阻分别为:根据热阻的定义式有:所以:由上式可以看出:整流桥的结温与壳体正面的温差远远小于结温与壳体背面的温差，也就是说，实际上整流桥的壳体正表面的温度是远远大于其背面的温度的。如果我们在测量时，把整流桥壳体正面温度(通常情况下比较好测量)来作为我们计算的壳温，那么我们就会过高地估计整流桥的结温了!那么既然如此，我们应该怎样来确定计算的壳温呢?由于整流桥的背面是和散热器相互连接的，并且热量主要是通过散热器散发，散热器的基板温度和整流桥的背面壳体温度间只有接触热阻。一般而言，接触热阻的数值很小。 MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。辽宁进口西门康SEMIKRON整流桥模块代理商

全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。流、全波整流以及桥式整流等。云南西门康SEMIKRON整流桥模块厂家电话

    整流桥模块的损坏原因及解决办法：-整流桥模块损坏，通常是由于电网电压或内部短路引起。在排除内部短路情况下，我们可以更换整流桥模块。而导致整流桥损坏的原因有以下5个原因1、散热片不够大，过载冲击电流过大，热量散发不出来。2、负载短路，绝缘不好，负荷电流过大引起；3、频繁的启停电源，若是感性负载属于储能元件！那么会产生反电动势。将整流元件反向击穿。在桥整流时只要一个坏了。则对称桥臂必烧坏！4、个别元件使用时间较长，质量下降！5、输入电压过高。整流桥模块坏了的解决办法（1）找到引起整流桥模块损坏的根本原因，并消除，防止换上新整流桥又发生损坏。（2）更换新整流桥模块，对焊接的整流桥模块需确保焊接可靠。确保与周边元件的电气安全间距，用螺钉联接的要拧紧，防止接触电阻大而发热。与散热器有传导导热的，要求涂好硅脂降低热阻。（3）对并联整流桥模块要用同一型号、同一厂家的产品以避免电流不均匀而损坏。 云南西门康SEMIKRON整流桥模块厂家电话