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    存储器产线建设开启；全球AI芯片独角兽初创公司成立；华为发布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量产32层3DNAND（零突破）。2019年，华为旗下海思发布全球5GSoC芯片海思麒麟990，采用了全球**的7纳米工艺；64层3DNAND闪存芯片实现量产；中芯**14纳米工艺量产。[5]2021年7月，采用自主指令系统LoongArch设计的处理器芯片，龙芯3A5000正式发布[12]挑战2020年8月7日，华为常务董事、华为消费者业务CEO余承东在**信息化百人会2020年峰会上的演讲中说，受管制影响，下半年发售的Mate40所搭载的麒麟9000芯片，或将是华为自研的麒麟芯片的后一代。以制造为主的芯片下游，是我国集成电路产业薄弱的环节。由于工艺复杂，芯片制造涉及到从学界到产业界在材料、工程、物理、化学、光学等方面的长期积累，这些短板短期内难以补足。[6]任正非早就表示：华为很像一架被打得千疮百孔的飞机，正在加紧补洞，现在大多数洞已经补好，还有一些比较重要的洞，需要两三年才能完全克服。随着禁令愈加严苛，要补的洞越来越多，[10]余承东是承认，当初只做设计不做生产是个错误。深圳市硅宇电子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年。航空航天：IC芯片在航空航天领域中的应用也非常广，如导航系统、通信系统、控制系统等。TPS43060RTE

    使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与所述热接口材料层热耦联。图是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图是印刷电路装配件的图，包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件并且包括已附接的分流管。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的，并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量，特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却，但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的，并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时，液体浸入式冷却是杂乱的。另一种方法使用将双列直插式存储模块封装在散热器中的双列直插式存储模块组件，所述散热器热耦联至循环制冷液体的冷却管。所公开的实施例以两个系统板为一对。all one writerIC：中文名称就是IC芯片。就是半导体元件产品的统称。包括：IC芯片板；二、三极管；特殊电子元件。

    如-5，-6之类数字表示。工艺结构----如通用数字IC有COMS和TL两种，常用字母C，T来表示。是否**-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否**，如z，R，+等。包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，r**l，tray等。版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为版本。IC命名、封装常识与命名规则温度范围：C=0℃至60℃（商业级）；I=-20℃至85℃（工业级）；E=-40℃至85℃（扩展工业级）；A=-40℃至82℃（航空级）；M=-55℃至125℃（级）封装类型：A—SSOP；BCERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔X—SC-60(**，5P，6P)﹔Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。管脚数:A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圆形)﹔W—10(圆形)﹔X—36；Y—8(圆形)﹔Z—10。。

    所述方法包括：提供两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目的提供，并且描绘典型或示例的实施例。图是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。图a和图b示出了根据一个实施例的双列直插式存储模块(dimm)组件。图示出了图a和图b的双列直插式存储模块组件的一侧的视图。图a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件。图b示出了图a的两个印刷电路装配件，所述两个印刷电路装配件相对地放置在一起。我们的IC芯片具有高度集成、低功耗等优点，为客户提供高效可靠的解决方案。

    这是**次从国外引进集成电路技术；成立电子计算机和大规模集成电路领导小组，制定了**IC发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。1985年，块64KDRAM在无锡国营724厂试制成功。1988年，上无十四厂建成了我国条4英寸线。1989年，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出振兴集成电路的发展战略；724厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了**华晶电子集团公司。[5]1990-2000年重点建设期1990年，决定实施“908”工程。1991年，首都钢铁公司和日本NEC公司成立中外合资公司——首钢NEC电子有限公司。1992年，上海飞利浦公司建成了我国条5英寸线。1993年，块256KDRAM在**华晶电子集团公司试制成功。1994年，首钢日电公司建成了我国条6英寸线。1995年，决定继续实施集成电路专项工程（“909”工程），集中建设我国条8英寸生产线。1996年，英特尔公司投资在上海建设封测厂。1997年，由上海华虹集团与日本NEC公司合资组建上海华虹NEC电子有限公司，主要承担“909”主体工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。1998年，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，开始了**大陆的Foundry时代。芯片，又称微电路、微芯片、IC芯片，是指内含IC芯片的硅片，体积很小。W241024AJ-15

IC芯片是将大量的微电子元器件形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。TPS43060RTE

    与集成电路热耦联的第二热接口材料层；以及与第二热接口材料层热耦联的能够移除的散热器，所述散热器具有越过印刷电路板的与连接侧相对的侧延伸的顶表面。在处，将两个印刷电路装配件相对地放置在一起，使得所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联。在处，流程包括将每个冷却管的端部耦联至分流管a，以及将每个冷却管的第二端部耦联至第二分流管b。在处，流程包括将泵、热交换器和储液器与分流管a和第二分流管b流体流通地耦联。流程包括操作泵以将液体传送通过各冷却管。深圳市硅宇电子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座，2002年成立北京分公司，是专业的IC供货商（只做原装），其中有8位单片机、32位单片机；在该领域已经营多年，资源丰富，目前已发展成为一家专业化、规模化的电子元器件经销商，且得到厂商的大力支持与新老客户的认同，公司工程技术力量强大，可为客户设计指导方案开发。TPS43060RTE