北京NPO电容规格

铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂，导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下，工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜，从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷，使填充修复工作不完善，阳极氧化膜上会留下微孔，甚至可能成为通孔，使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷，后续铆接工艺不好时，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，这些刺破的部位漏电流很大，局部过热导致电容产生热击穿。陶瓷电容的另外一个特性是其直流偏压特性。北京NPO电容规格

电容和体积由于电解电容大多采用卷绕结构，容易扩大体积，所以单位体积的电容很大，比其他电容大几倍到几十倍。然而，大电容的获得是以体积膨胀为代价的。开关电源要求更高的效率和更小的体积。因此，有必要寻找新的解决方案来获得具有大电容和小体积的电容器。一旦有源滤波电路用于开关电源的原边，铝电解电容器的使用环境就变得比以前更加恶劣：(1)高频脉冲电流主要是20kHz~100kHz的脉动电流，而且增加很大；(2)变流器主开关管发热，导致铝电解电容器环境温度升高；(3)大部分变换器采用升压电路，所以需要耐高压的铝电解电容。结果，由现有技术制造的铝电解电容器不得不选择大尺寸的电容器，因为它们需要吸收比以前更多的脉动电流。结果，电源的体积巨大，并且难以在小型化的电子设备中使用。为了解决这些问题，有必要研究和开发一种新型的电解电容器，这种电容器体积小，耐高压，并允许大量的高频脉冲电流流过。另外，这种电解电容器，在高温环境下工作，工作寿命长。上海贴片电容厂家钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。

陶瓷电容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi发明了陶瓷介质电容器。20世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数加倍，从而制造出更便宜的陶瓷介质电容器。1940年左右，人们发现陶瓷电容器的主要原料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性，随后陶瓷电容器开始用于尺寸小、精度要求高的电子设备中。陶瓷叠层电容器在1960年左右开始作为商品开发。到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的发展，它迅速发展起来，成为电子设备中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介质电容器的总数量约占电容器市场的70%。

旁路某些设计的电路，双通道(大电容小电容)或多通道(三个以上小电容组成)，一般用在比效率更高的dsp中，为了使频率特性更好。)在电容的接地端，(地线的宽度和一次噪声会造成频率特性)，比如ccd布局中的旁路，要测量电容接地端的纹波。这是指近端。为了滤除DC馈线中的所有交流分量，可以并联不同的电容器。低频滤波要求电容大，但引线电感不适合高频滤波，高频滤波要求电容小，不适合低频滤波。如果并联，可以同时滤除高频和低频。有些滤波电路并联使用三个电容，分别是电解电容、纸电容和云母电容，分别滤除工频、音频和射频。并联电容器的esr也将更小。然后电路图中经常会出现一排排电容，大部分是0.1uf和10uf。你如何计算大小和数量？当铝电解电容在高温或潮热的环境中工作时，阳极引出箔片可能会由于遭受电化学腐蚀而断裂。

I类陶瓷电容器按照美国电工协会(EIA)的标准，是C0G(数字0，不是字母O，部分文件笔误COG)或NP0(数字0，不是字母O，部分文件笔误NPO)，以及中国标准CC系列等各类陶瓷介质(温度系数为030ppm/)，极其稳定，温度系数极低，不会出现老化现象和损耗因子。这种介质非常适用于高频(特别是用于工业高频感应加热、高频无线传输等应用的高频电力电容器)、超高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境。这种介质电容的缺点就是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。通常情况下，1206表贴C0G介质电容的电容范围为0.5pf至0.01f。电解电容由于有正负极性，因此在电路中使用时不能颠倒联接。北京NPO电容规格

固态和液态电解电容，二者的本质区别在于介电材料的不同。北京NPO电容规格

陶瓷电容器品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器；按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器；按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。陶瓷电容器的温度特性应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性；不同材料的陶瓷介质，其温度特性有极大的差异。北京NPO电容规格