深圳纳米氮化铝粉体生产商

时间:2023年02月19日 来源:

在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4陶瓷抗弯强度很高,耐磨性好,是综合机械性能很好的陶瓷材料,同时其热膨胀系数很小,因而被很多人认为是一种很有潜力的功率器件封装基片材料。但是其制备工艺复杂,成本较高,热导率偏低,主要适合应用于强度要求较高但散热要求不高的领域。而氮化铝各方面性能同样也非常,尤其是在电子封装对热导率的要求方面,氮化铝优势巨大。不足的是,较高成本的原料和工艺使得氮化铝陶瓷价格很高,这是制约氮化铝基板发展的主要问题。但是随着氮化铝制备技术的不断发展,其成本必定会有所降低,氮化铝陶瓷基板在大功率LED领域大面积应用指日可待。氮化铝可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。深圳纳米氮化铝粉体生产商

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氮化铝的应用:应用于发光材料,氮化铝(AlN)的直接带隙禁带很大宽度为6.2eV,相对于间接带隙半导体有着更高的光电转换效率。AlN作为重要的蓝光和紫外发光材料,应用于紫外/深紫外发光二极管、紫外激光二极管以及紫外探测器等。此外,AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成连续的固溶体,其三元或四元合金可以实现其带隙从可见波段到深紫外波段的连续可调,使其成为重要的高性能发光材料。可以说,从性能的角度讲,氮化铝与氮化硅是目前很适合用作电子封装基片的材料,但他们也有个共同的问题就是价格过高。深圳纳米氮化铝粉体生产商氮化铝室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成,产物为白色到灰蓝色粉末。

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氮化铝粉体的成型工艺有多种,传统的成型工艺诸如模压,热压,等静压等均适用。由于氮化铝粉体的亲水性强,为了减少氮化铝的氧化,成型过程中应尽量避免与水接触。另外,据中国粉体网编辑了解,热压、等静压虽然适用于制备高性能的块体氮化铝瓷材料,但成本高、生产效率低,无法满足电子工业对氮化铝陶瓷基片用量日益增加的需求。为了解决这一问题,近年来人们研究采用流延法成型氮化铝陶瓷基片。流延法目前已成为电子工业用氮化铝陶瓷的主要成型工艺。流延成型制备多层氮化铝陶瓷的主要工艺是:将氮化铝粉料、烧结助剂、粘结剂、溶剂混合均匀制成浆料,通过流延制成坯片,采用组合模冲成标准片,然后用程控冲床冲成通孔,用丝网印刷印制金属图形,将每一个具有功能图形的生坯片叠加,层压成多层陶瓷生坯片,在氮气中约700℃排除粘结剂,然后在1800℃氮气中进行共烧,电镀后即形成多层氮化铝陶瓷。

高电阻率、高热导率和低介电常数是电子封装用基片材料的很基本要求。封装用基片还应与硅片具有良好的热匹配、易成型、高表面平整度、易金属化、易加工、低成本等特点和一定的力学性能。陶瓷由于具有绝缘性能好、化学性质稳定、热导率高、高频特性好等优点,成为很常用的基片材料。常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等,其中氧化铝陶瓷基板的热导率低,热膨胀系数和硅不太匹配;氧化铍虽然有优良的性能,但其粉末有剧毒;而氮化铝陶瓷具有高热导率、好的抗热冲击性、高温下依然拥有良好的力学性能,被认为是很理想的基板材料。氮化铝陶瓷拥有高硬度和高温强度性能,可用作切割工具、砂轮和拉丝模以及制造工具材料、金属陶瓷材料的原料。还具有优良的耐磨损性能,可用作耐磨损零件,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位。将某些易氧化的金属或非金属表面包覆AlN涂层,可以提高其抗氧化、耐磨的性能;也可以用作防腐蚀涂层,如腐蚀性物质的处理器和容器的衬里等。凝胶流延成型和注凝成型,成为氮化铝陶瓷的主要生产方法,从而促进氮化铝陶瓷的推广与应用。

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氮化铝陶瓷的制备技术:注射成型被国际上誉为“当今很热门的零部件成形技术”。陶瓷注射成型是将聚合物注射成型方法与陶瓷制备工艺相结合而发展起来的一种制备复杂形状的陶瓷零部件的新兴工艺。相对于传统成型工艺,它的优点主要包括:机械化和自动化程度高、生产效率高、成型周期短、坯体强度高;成型的陶瓷产品具有极高的尺寸精度和表面光洁度;成型产品烧结体性能优越且一致性较好;可近净尺寸成型各种复杂形状,很少甚至无需进行机械加工后处理。需要注意的是,由注射成型得到的制品,其脱脂是一个尤为重要的阶段,因为绝大多数的缺陷都在脱脂阶段形成,如裂纹、气孔、变形、鼓泡等情况,并且在脱脂过程中产生的缺陷无法通过后期的烧结来弥补,所以在某种程度上脱脂决定了很终产品质量。由于注射成型坯体中有机物含量较高,脱脂过快会导致很多缺陷的发生。因此,脱脂工艺优化是注射成型工艺中的一大难题和研究重点。氮化铝可以抵抗大部分融解的盐的侵袭,包括氯化物及冰晶石〔即六氟铝酸钠〕。金华球形氮化硼商家

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