铝钼铝蚀刻液蚀刻液溶剂

时间:2024年01月19日 来源:

    且过滤部件能将内部的过滤板进行拆卸更换,有效的提高了装置连接安装的便利性。2.高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,连接构件,连接构件设置在搅拌仓的底部,连接构件与搅拌仓固定连接,连接构件能将装置主体内部的两个构件进行连接并固定,且在将两构件进行连接或拆卸的时候,不需要使用任何工具就能完成安装和拆卸工作,有效的提高了装置连接的实用性。附图说明图1为本实用新型的整体结构示意图;图2为本实用新型的过滤部件剖视图;图3为本实用新型的连接构件剖视图;图4为本实用新型的内部构件连接框架图。图中:1、装置主体,2、支撑腿,3、电源线,4、单片机,5、控制器,6、防滑纹,7、密封阀门(z45x-16),8、收集仓,9、过滤部件,10、常闭式密封电磁阀(zca-15biii02-10),11、连接构件,12、海绵层,13、搅拌电机(5ik),14、去离子水储罐,15、磷酸储罐,16、醋酸储罐,17、硝酸储罐,18、阴离子表面活性剂储罐,19、聚氧乙烯型非离子表面活性剂储罐,20、氯化钾储罐,21、硝酸钾储罐,22、密封环,23、搅拌仓,24、滑动盖,25、收缩弹簧管,26、过滤板,27、螺纹管,28、活动轴,29、密封软胶层。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图。蚀刻液的分类有哪些;铝钼铝蚀刻液蚀刻液溶剂

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银蚀刻液主要用于印刷线路板制造,银器及银合金的蚀刻、标牌制作。二、突出特点1.蚀刻速度快,效率高。使用方便。蚀刻最高速度可达2000纳米/秒。2.可循环使用,无废液排放。三、理化指标外观:液体;气味:微;比重:1.05±0.1;pH:偏碱性四、使用方法1.预处理:如银或铜合金表面不洁净,需对表面进行洁净处理,如除油、除杂等。2.蚀刻:(1).将图案模板纸粘附于银板或银器上,再将银蚀刻液用喷淋设备喷于图案处,时间1分钟到几十分钟不定(用户可根据蚀刻要求自行试验时间,因模板纸不同,时间也不同),揭去模板纸,用清水冲掉残物。(2).用100-200T的丝网,75度硬度的聚酯刮胶,将光固化抗蚀刻油墨印刷在基板上,然后将油墨在紫外灯下光照20—30秒钟,(紫外光能量为1000mj/cm2)。用喷淋的方式进行蚀刻,温度50±5℃,压力1-3kg/cm2时间1分钟到几分钟,(具体时间根据蚀刻深度而定)。然后,用1%--3%的氢氧化钠溶液将光固化抗蚀刻油墨溶解出去。安徽京东方用的蚀刻液蚀刻液销售电话苏州性价比较好的蚀刻液的公司联系电话。

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可用于银镍合金、银铜合金以及纯银的蚀刻,蚀刻后板面平整光滑。剂对油墨没有影响,可用于花纹蚀刻处理。三、使用方法:1、原液使用,不须加水,操作温度可以是25℃-60℃,温度越高,速度越快。2、将银板浸泡在银蚀刻剂中。用软毛刷来回轻轻刷动,使药水与银充分均匀反应;或者也可以用摇床,使药水来回动运,使板蚀刻速度加快。但不能超声波,以免破坏(感光)油墨。参考数据:50℃→5分钟→0.1毫米深度。30℃→20分钟→0.1毫米深度。3、水洗后做后续处理。

    图7:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构运作局部放大图。图8:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图9:本实用新型蚀刻设备其一较佳实施例的宣泄孔的表面张力局部放大图。图10:本实用新型蚀刻设备其二较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图11:本实用新型蚀刻设备其三较佳实施例的挡液板结构结合风刀装置示意图。图12:本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔的表面张力局部放大图。图13:本实用新型蚀刻方法的步骤流程图。图号说明:传统挡液板结构a挡液板结构b风刀c气体本实用新型1蚀刻设备10挡液板结构11***挡板12第二挡板121宣泄孔1211***壁面1212第二壁面122下表面123上表面13第三挡板20基板30输送装置31滚轮40风刀装置41***风刀42第二风刀43气体50喷洒装置51药液s1步骤一s2步骤二s3步骤三s4步骤四h长度θ夹角θ1***夹角θ2第二夹角θ3第三夹角θ4接触角a0孔径a1上孔径a2下孔径w、w1、w2距离。具体实施方式首先,请参阅图2与图3所示,为本实用新型挡液板结构其一较佳实施例的整体结构示意图,以及宣泄孔排列示意图,其中本实用新型的挡液板结构10适用于一湿式蚀刻机(图式未标示)。蚀刻液用在哪些工艺段上;

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    本实用涉及电子化学品生产设备技术领域,具体为高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置。背景技术:近年来,人们对半导体装置、液晶显示器的需求量不断增加的同时,对于这些装置所具有的配线、电极等的微小化、高性能化的要求也越来越严格,而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏,影响高密度细导线图像的精度和质量,为了解决蚀刻液组合物蚀刻铝材料过程中,对蚀刻速率慢、难以控制蚀刻角度和不同金属层的蚀刻量而造成的多层配线的半导体装置的配线的断路、短路,得到较高的成品率,为保证其稳定性及蚀刻的平滑度及精度,在蚀刻液中需要加入多种组分,而常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合。现有的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置密封性差,连接安装步骤繁琐,还需要使用工具才能进行连接安装或拆卸,而且现有的高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置没有过滤的部件,蚀刻液中的各组份蚀刻液杂质含量多,且多种强酸直接共混存在较大的安全隐患,装置不够完善,难以满足现代社会的需求。所以,如何设计高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置,成为我们当前需要解决的问题。剥离液是用于光刻胶剥离用的化学品。江苏哪家蚀刻液蚀刻液推荐货源

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    将hno3、四甲基氢氧化铵、h2o2分别投入对应的原料罐,备用;第三步:根据混酸配制表算出各个原料的添加量,按照纯水→亚氨基二乙酸→氢氟酸→hno3→四甲基氢氧化铵→乙醇酸的顺序依次将原料加入调配罐,将上述混料充分搅拌,搅拌时间为3~5h;第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,继续搅拌混匀,搅拌时间为3~5h,用磁力泵将混合液通过过滤器循环过滤。作为推荐的技术方案,所述磁力泵出口压力≤,过滤器入口压力≤。根据制备铜蚀刻液的原料确定磁力泵的出口压力和过滤器的入口压力,包装原料可以被充分过滤。作为推荐的技术方案,所述调配罐内的温度设定在30~35℃。调配罐的温度不能超过35℃,由于过氧化氢的密度随温度的升高而减小,因此保证交底的反应温度有助于保证原料体系的稳定作为推荐的技术方案,所述过滤器的微滤膜孔径为~μm。作为推荐的技术方案,第三步中各种原料在~,调配罐内填充氮气,搅拌速度为30~50r/min。作为推荐的技术方案,原料罐和调配罐大拼配量不超过罐容积的80%。本发明的优点和有益效果在于:本发明在制备酸性铜蚀刻液的过程中,用低温纯水(10℃)替代常温纯水(25℃),将低温纯水加入反应体系中,降低反应体系的反应温度。铝钼铝蚀刻液蚀刻液溶剂

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