台州哪里减薄用清洗剂供应商

时间:2024年04月08日 来源:

    本发明涉及玻璃减薄技术领域,具体涉及一种玻璃减薄设备。背景技术:随着便携式电子器件的发展,手机、平板等便携式电子器件越来越纤细化及薄型化,因此需要制造较薄的玻璃基板。为了制造较薄的玻璃基板,目前的采用的方法是浸泡式减薄法。用浸泡式减薄法减薄玻璃是将玻璃减薄液放入玻璃减薄设备的反应槽中,然后将玻璃放入玻璃减薄液中放置一定时间,使玻璃减薄液与玻璃反应,实现玻璃减薄。目前的浸泡式减薄法中,反应产物会悬浮于玻璃减薄液中,然后再粘附在玻璃上,造成不良品;并且,这种方法容易造成蚀刻不均,导致进行减薄后还需要进行抛光处理,提高了制备成本。鉴于上述缺陷,本发明创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本发明。技术实现要素:为解决上述技术缺陷,本发明采用的技术方案在于,提供一种玻璃减薄设备,包括蚀刻区,用于对竖直容纳在玻璃加工治具中的多个玻璃进行减薄处理;冲洗区,用于所述玻璃加工治具上的玻璃进行减薄前清洁和减薄后清洁;转换区,用于待减薄处理的所述玻璃加工治具加载到所述冲洗区中,并将减薄处理后的所述玻璃加工治具从所述冲洗区卸载到外部;制动组件。哪家减薄用清洗剂的质量比较好。台州哪里减薄用清洗剂供应商

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    若干所述侧支撑件44固定设置在所述固定板423的端面上;所述固定板423两端均设置有至少两个固定卡块427,所述固定卡块427一般设置为矩形横截面结构,便于所述固定板423端面的朝向定位;对应的,所述调节槽内设置有固定槽426,当所述固定板423两端各自的两所述固定卡块427分别设置于对应的所述固定槽426内时,设置有所述侧支撑件44的端面对应所述竖直平板421上的所述侧支撑件44,且设置所述侧支撑件44的所述竖直平板421和所述固定板423设置在所述底支撑件43的两侧,从而实现对所述盛放部内玻璃的支撑限位。其中,如图3所示,所述侧板422上所述调节槽的一种实施方式为,所述调节槽包括若干水平槽424和与所述水平槽424均竖直贯通连接的竖直槽425,所述固定槽426设置于所述水平槽424的下边缘,所述固定槽426对应所述固定卡块427设置为u型槽,从而便于固定所述固定卡块427的摆放位置。所述水平槽424和所述竖直槽425的尺寸均对应所述固定卡块427的尺寸设置,使所述固定卡块427可在所述水平槽424和所述竖直槽425内自由移动。在本实施方式中,两所述竖直平板421中一所述竖直平板421上设置有所述侧支撑件44,同一所述水平槽424多只设置一个所述固定卡块427。减薄清洗剂,让您的加工过程更轻松,提高生产效率。

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    磁转子12放置在待加工部件20的待加工表面上,用于通过旋转对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨,对待加工表面进行减薄。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转,因此,可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力,降低待加工部件20如inp基晶圆的机械加工损伤。可选地,本发明实施例中通过光刻胶键合固定待加工部件20和托盘10。当然,本发明并不限于此,在其他实施例中,待加工部件20和托盘10还可以采用其他胶体进行键合固定。基于此,如图2所示,本发明实施例中的抛光减薄装置还包括热板14,该热板14设置在托盘10底部,用于对托盘10进行加热,以使待加工部件20与托盘10键合固定。具体地,将待加工部件20背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶21,如az4620光刻胶,然后在托盘10表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶21,如az4620光刻胶,之后,将托盘10光刻胶面向上放于温度为90℃的热板14上,将待加工部件20光刻胶面和托盘10光刻胶面贴合,在2×10-2mabr真空下,施加1bar压强于待加工部件20上进行键合,键合时间20min。本发明实施例中,采用喷头11向待加工部件20的待加工表面喷涂抛光液110,来对待加工部件20的待加工表面进行抛光。需要说明的是。减薄用清洗剂的的概费用是多少?无锡减薄用清洗剂价格

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    将待加工部件固定在托盘上包括:采用光刻胶将待加工部件固定在托盘上。具体地,将待加工部件背面喷涂厚度约为2μm的光刻胶,如az4620光刻胶,然后在托盘表面喷涂厚度约为3μm的光刻胶,如az4620光刻胶,之后,将托盘光刻胶面向上放于温度为90℃的热板上,将待加工部件光刻胶面和托盘光刻胶面贴合,在2×10-2mabr真空下,施加1bar压强于待加工部件上进行键合,键合时间20min。s102:通过喷头向待加工部件的待加工表面喷涂抛光液,来对待加工表面进行抛光;s103:通过磁转子旋转对待加工表面进行机械研磨,来对待加工表面进行减薄。可选地,本发明实施例中,s102和s103可以交替进行,也就是说,控制磁转子旋转一段时间后,控制磁转子停止旋转,并控制喷头喷涂抛光液,停止喷涂抛光液后,再次控制磁转子旋转,以此类推。本发明实施例中,通过磁转子和喷头交替工作,实现了减薄和抛光两种工艺交替作用,使得减薄和抛光一体化完成,整个过程稳定,速度快,控制性好,重复度高,无粉尘污染,衬底减薄终厚度达到20μm,抛光面ra<2nm。由于减薄过程中待加工部件20如inp基晶圆本身不旋转,因此,可以降低抛光减薄过程中对待加工部件20如inp基晶圆的挤压应力。台州哪里减薄用清洗剂供应商

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