热源定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片，晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。公司的加工流片技术具有多项先进的特点和优势。首先，公司采用了先进的工艺设备，保证了工艺的稳定性。其次，公司拥有丰富的流片加工经验，能够根据客户的需求进行流片加工和定制化开发。再次，公司注重研发创新，不断引入先进的材料和技术，提升性能。同时，公司具备较为完备的检测能力，可以确保产品的质量。研究院将不断提高研发水平和服务能力，确保客户满意。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发服务。热源定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司研发的太赫兹放大器系列产品，是为客户提供太赫兹芯片解决方案的创新科技成果。太赫兹技术作为前沿科技领域，备受业界瞩目，具有巨大的应用潜力。公司凭借强大的研发实力和创新能力，成功实现了太赫兹芯片的自主研发。太赫兹放大器系列产品应用前景广阔，太赫兹技术在通讯、安全检测、材料表征等领域具有重要意义。公司将持续创新，推动太赫兹行业的发展，为客户创造更多价值。选择南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，客户将获得太赫兹芯片研发的专业支持，共同探索太赫兹技术的无限可能。北京光电芯片测试南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发服务，该系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品具有耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率达600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；可用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于为客户提供定制化的SBD太赫兹集成电路芯片服务，帮助客户在市场竞争中脱颖而出。公司以客户满意为导向，始终致力于提供高质量的产品和服务。无论是在技术支持还是在解决问题方面，公司都能及时有效地响应，为客户提供全程支持。通过与公司的合作，客户可以享受专业、个性化的定制服务。在通信、雷达、无线电等领域，公司与客户紧密合作，共同推动行业发展和创新。选择南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，客户将获得专业、高效、可靠的SBD太赫兹集成电路芯片服务，为客户的业务发展保驾护航。芯谷高频研究院高功率密度热源产品可根据客户需求设计出色的散热效能和优异的热管理能力。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司是国内为数不多拥有先进太赫兹测试能力的单位之一。公司能够进行高效准确的测试工作，可以测试至400GHz的各类元器件、MMIC电路及模块的散射参数测试和器件建模。此外，公司还能够实现高达500GHz的电路功率测试和噪声测试。这些能力展示了公司在太赫兹测试领域较强的实力。通过持续的创新和研发，公司不断拓展技术边界，为客户提供更加专业、高质量的服务。作为高频器件产业企业，公司为整个行业的发展贡献着自己的力量。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将继续致力于太赫兹测试技术的创新和应用，为推动整个行业的进一步发展做出更大的贡献。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务。氮化镓器件芯片开发

芯谷高频研究院可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片。热源定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发服务，该芯片电路工作频段达到1.5THz；适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用。本公司提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务，GaAs薄膜型SBD集成电路是目前主流的技术解决方案。研究院可根据客户需求进行定制化开发，可应用于太赫兹混频、倍频、检波等技术方向。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司将不断提高研发水平，为客户提供更好的服务。热源定制开发