肇庆IC测烧报价行情

时间:2023年11月18日 来源:

烧录测试座保养:

每次使用完烧录座后,应清洁烧录座,保持烧录座表面干净无污不可使用腐蚀性之清洗剂,虽可获得短暂效果但会带来严重的损伤,缩短使用寿命。只可用静电毛刷,精密清洁剂进行清洁对烧录座金属弹片进行清扫清洁(不要使用酒精或润滑剂清洗表面污物)清洁完的烧录座比较好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放烧录座长时间不使用时,合上盖子,用盒子装好,尽量存放在密封,干燥阴凉的地方,防止因存放环境而引起的氧化。再次使用时应先观察烧录座表面是否有污物或氧化(呈黑色)用精密清洁剂进行清洁后再使用。

烧录座的更换:

如果正确使用和妥善保管,烧录座的使用寿命就可以达到甚至超过超过参考标准。PS:烧录座是耗材,只有正确使用和妥善保养,才会延长使用寿命。 烧录机是一种量产式的芯片程序烧录生产设备。肇庆IC测烧报价行情

代客IC测烧流程:

1.确认客户需求:确认客户的IC种类.,包装,数量及要求服务项目;若为尚未支援的新IC,则请工程师申请升级。

2.报价:按烧录时间表长短及服务项目多少计价;若需特殊治具的客制IC,则费用另计。

3.确定烧录样品:由客户提供样品,烧录程序及CHECKSUM;送还试烧样品,供客户验证及确认。

4.订购单:将客户的订单详情输入电脑订单系统。

5.生产安排:生产部门根据要求安排设备和人力;将烧录容量比较好化以缩短交货时间。

6.进料:确定来料种类,数量正确。

7.烧录测试:大量烧录前再次确定机器设定及烧录内容正确性;烧录品质及良率控制;烧录内容保密控制。

8.烧录QA:QA人员检验烧录程序正确性及有否弯脚,混料。

9.按客户要求的材料,方法包装成品。

10.外观QA:就打印,混料,弯脚以及包装材料,包装方法做外观检查。

11.出货:准备出库单,送货单及收据;确保将正确的产品和数量及时运交给客户。 肇庆IC测烧报价行情OPS专业的芯片烧录、测试、包装转换、印字及Memory高低温老化测试设备服务。

IC产品可靠性等级测试有哪几种?

1、TCT:高低温循环试验(TemperatureCyclingTest)

目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。

测试条件:

ConditionB:-55℃to125℃

ConditionC:-65℃to150℃

失效机制:电介质的断裂,导体和绝缘体的断裂,不同界面的分层

2、TST:高低温冲击试验(ThermalShockTest)

目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。

方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。

测试条件:

ConditionB:-55℃to125℃

ConditionC:-65℃to150℃

失效机制:电介质的断裂,材料的老化(如bondwires),导体机械变形

3、HTST:高温储存试验(HighTemperatureStorageLifeTest)

目的:评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。

测试条件:150℃

失效机制:化学和扩散效应,Au-Al共金效应

4、可焊性试验(SolderabilityTest)

目的:评估ICleads在粘锡过程中的可靠度测试

方法:Step1:蒸汽老化8小时Step2:浸入245℃锡盆中5秒失效标准(FailureCriterion):至少95%良率

Nand Flash存储结构浅析

NandFlash是一种常见的闪存存储器,它的存储结构可以简单理解为一个二维的阵列,其中包含了多个存储单元。存储单元:

NandFlash的存储单元是一个非常小的电子组件,用于存储数据。每个存储单元通常由一个MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和一个电荷储存单元(通常是浮栅)组成。当电荷储存单元中存在电荷时,表示存储单元为1,否则为0。

页(Page):NandFlash的存储单元按照一定规则进行组织,形成了一个页(Page)。一个页通常包含多个存储单元,以及相关的控制电路。典型的页大小为2KB、4KB或8KB。

块(Block):NandFlash的页按照一定规则组织成块(Block)。一个块通常包含多个页,以及相关的控制电路。典型的块大小为64KB或128KB。块是NandFlash的擦除单位,即要擦除一个块,需要将整个块的数据都擦除。

平面(Plane):NandFlash的块按照一定规则组织成平面(Plane)。一个平面通常包含多个块,以及相关的控制电路。典型的平面数量为1或2。

芯片(Chip):NandFlash的平面按照一定规则组织成芯片(Chip)。

NandFlash的存储结构可以简单理解为存储单元组成的页,页组成的块,块组成的平面,平面组成的芯片。 凭借丰富的技术经验和齐全的设备资源,可协助广大客户处理生产中遇到的芯片烧录问题。

想要实现芯片的性能,功能,可靠性测试,我们具体要用哪些手段呢?

系统级SLT测试

常应用于功能测试、性能测试和可靠性测试中,常常作为成品FT测试的补充而存在。顾名思义就是在一个系统环境下进行测试,就是把芯片放到它正常工作的环境中运行功能来检测其好坏,缺点是只能覆盖一部分的功能,覆盖率较低所以一般是FT的补充手段。需要应用的设备主要是机械臂,需要制作的硬件是系统板+测试插座。

可靠性测试:

主要就是针对芯片施加各种苛刻环境,比如ESD静电,就是模拟人体或者模拟工业体去给芯片加瞬间大电压。再比如老化HTOL,就是在高温下加速芯片老化,然后估算芯片寿命。除了上述测试方法,一些复杂、高效的芯片也会采取多策并举的形式进行测试。同时我们可以发现,探针和插座贯穿了CP测试和FT测试,任何测试都离不开他,是芯片测试中必不可少的冶具之一。现如今芯片更新迭代的速度变得越来越快,功能越来越复杂,这就要求更高的测试可靠性和更少的测试时间以将产品快速推出市场。

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IC产品可靠性等级测试之环境测试项目有哪些?

1、PRE-CON:预处理测试(PreconditionTest)目的:模拟IC在使用之前在一定湿度,温度条件下存储的耐久力,也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。

2、THB:加速式温湿度及偏压测试(TemperatureHumidityBiasTest)

目的:评估IC产品在高温,高湿,偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程。

测试条件:85℃,85%RH,1.1VCC,Staticbias

失效机制:电解腐蚀

3、高加速温湿度及偏压测试(HAST:HighlyAcceleratedStressTest)

目的:评估IC产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。

测试条件:130℃,85%RH,1.1VCC,Staticbias,2.3atm

失效机制:电离腐蚀,封装密封性

4、PCT:高压蒸煮试验PressureCookTest(AutoclaveTest)

目的:评估IC产品在高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。

测试条件:130℃,85%RH,Staticbias,15PSIG(2atm)

失效机制:化学金属腐蚀,封装密封性

5、SHTTest:焊接热量耐久测试(SolderHeatResistivityTest)

目的:评估IC对瞬间高温的敏感度测试

方法:侵入260℃锡盆中10秒

失效标准(FailureCriterion):根据电测试结果 肇庆IC测烧报价行情

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