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异质结电池生产设备，异质结电池整线解决方案，制绒清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和损伤层；2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀，将Si（100）晶面腐蚀为Si（111）晶面的四方椎体结构（“金字塔结构”），即在硅片表面形成绒面，可将硅片表面反射率降低至12.5%以下，从而产生更多的光生载流子；3形成洁净硅片表面，由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分，避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。光伏异质结技术的广泛应用将有助于实现绿色能源转型和应对气候变化的目标。合肥0bb异质结无银

高效HJT电池整线装备，物理的气相沉积，PVD优点沉积速度快、基材温升低；所获得的薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好；溅射工艺可重复性好，精确控制厚度；膜层粒子的散射能力强，绕镀性好；不同的金属、合金、氧化物能够进行混合，同时溅射于基材上；缺点：常规平面磁控溅射技术靶材利用率不高，一般低于40％；在辉光放电中进行，金属离化率较低。反应等离子体沉，RPD优点：对衬底的轰击损伤小；镀层附着性能好，膜层不易脱落；源材料利用率高，沉积速率高；易于化合物膜层的形成，增加活性；镀膜所使用的基体材料和膜材范围广。缺点：薄膜中的缺陷密度较高，薄膜与基片的过渡区较宽，应用中受到限制（特别是电子器件和IC）；薄膜中含有气体量较高。南京国产异质结PECVD光伏异质结可以应用在各种表面上，如玻璃、塑料等，具有广泛的应用前景。

高效光伏异质结电池整线设备，HWCVD 1、热丝化学气相沉积(HotWireCVD，HWCVD)是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来制备非晶硅薄膜，对衬底无损伤，且成膜质量非常好，但镀膜均匀性较差，且热丝作为耗材，成本较高；2、HWCVD一般分为三个阶段，一是反应气体在热丝处的分解反应，二是基元向衬底运输过程中的气相反应，第三是生长薄膜的表面反应。PECVD镀膜均匀性较高，工艺窗口宽，对衬底损伤较大。HWCVD是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来成膜，对衬底无损伤，且成膜质量好，但镀膜均匀性较差且成本较高。

异质结电池的优势有，优势一：工艺流程短HJT电池主工艺有4道：制绒、非晶硅沉积、TCO沉积、丝网印刷；远少于PERC（10个）和TOPCON（12-13个）；其中，非晶硅沉积主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有两种方法：RPD(反应等离子沉积)和PVD。优势二：转换效率高得益于N型硅衬底以及非晶硅对基底表面缺陷的双重钝化作用。目前量产效率普遍已在25%以上；更高的转化效率需要在前后表面使用掺杂纳米晶硅、掺杂微晶硅、掺杂微晶氧化硅、掺杂微晶碳化硅取代现有的掺杂。HJT效率潜力超28%，远高PERC电池。优势三：无LID&PID，低衰减无LID与PID：由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅，而N型单晶硅为磷掺杂，不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等，所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜，无绝缘层，因此无表面层带电的机会，从结构上避免PID发生。低衰减：HJT电池首年衰减1-2%，此后每年衰减0.25%，远低于PERC电池掺镓片的衰减情况（首年衰减2%，此后每年衰减0.45%)，因此HJT电池全生命周期每W发电量高出双面PERC电池约1.9%-2.9%。光伏异质结的制造工艺不断优化，降低了生产成本，提高了产量和良品率。

异质结电池所有制程的加工温度均低于250，避免了生产效率低而成本高的高温扩散制结的过程，而且低温工艺使得a-Si薄膜的光学带隙、沉积速率、吸收系数以及氢含量得到较精确的控制，也可避免因高温导致的热应力等不良影响。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。异质结电池采用的N型硅片，掺杂剂为磷，几乎无光致衰减现象。西安0bb异质结价格

光伏异质结是一种高效太阳能电池，具有双面发电和低光衰减等优点。合肥0bb异质结无银

HJT电池生产流程，HJT电池生产设备，制绒清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和损伤层；2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀，将Si（100）晶面腐蚀为Si（111）晶面的四方椎体结构（“金字塔结构”），即在硅片表面形成绒面，可将硅片表面反射率降低至12.5%以下，从而产生更多的光生载流子；3形成洁净硅片表面，由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分，避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。碱溶液浓度较低时，单晶硅的(100)与(111)晶面的腐蚀速度差别比较明显，速度的比值被称为各向异性因子(anisotropicfactorAF)；因此改变碱溶液的浓度及温度，可以有效地改变AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”结构的减反射绒面；在制绒工序，绒面大小为主要指标，一般可通过添加剂的选择、工艺配比的变化、工艺温度及工艺时间等来进行调节控制。合肥0bb异质结无银

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