东莞粗糙度激光干涉仪

频率影响

1 当频率自额定值偏离±10%(但对相位表和功率因数表为±2%，对单相无功功率表为±5%)时，由此所引起的仪表指示值的改变应不超过表7 中的规定值。如果在仪表上注明额定频率范围，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差都应不超过规定值。如果在仪表上除注明额定频率外，还注明有扩大的频率范围时，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差应不超过表7 中规定值的两倍。仪表辅助电路的电源，当其频率自额定值偏离±2%时，由此引起的仪表指示值的改变，应不超过表7 规定值的一半。

2 检验频率的影响时，应遵守有关规定(对频率的规定除外)，且应除去变差影响。试验是在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点分度线上进行。相位表在额定电流下进行，功率表在额定功率因数下进行。 其工作接近技术和物理的极限。东莞粗糙度激光干涉仪

(3)非接触测头以及各种扫描探针显微镜。航空航天行业对此已经提出迫切要求，这是今后坐标测量机发展的关键技术。目前接触式测头已完全被国外所垄断，非接触测头还没有发展成熟，我们有参与竞争的机遇。以前较多采用的激光三角法原理受到很多限制，难以有突破性进展，但可在原理创新上下功夫。应该突破0.1～0.5μm分辨率。

(5)新器件，新材料。过去，科研评价体系存在偏重于整机和系统，忽视材料和器件的趋向。新的突破点可能出现在新光源、新型高频探测器。目前探测器的响应频率只有10的9次方，而光频高达10的14次方，目前干涉仪实际上是起着混频器的作用，适应探测器的不足(如果探测器的响应果真能超过光频，干涉仪也就没有用了)。如果探测器的性能得到显著提高，对于通讯也是很大的突破。 模切尺寸激光干涉仪3D玻璃测量IDS与各种目标和目标材料兼容。

按相数分

绝大多数产品是单相的，因为电压互感器容量小，器身体积不大，三相高压套管间的内外绝缘要求难以满足，所以只有3-15kV的产品有时采用三相结构。

按电压变换原理分

电磁式电压互感器：根据电磁感应原理变换电压，原理与基本结构和变压器完全相似，我国多在及以下电压等级采用；电容式电压互感器：由电容分压器、补偿电抗器、中间变压器、阻尼器及载波装置防护间隙等组成，用在中性点接地系统里作电压测量、功率测量、继电防护及载波通讯用；光电式电压互感器：通过光电变换原理以实现电压变换，还在研制中。

按使用条件分

户内型电压互感器：安装在室内配电装置中，一般用在及以下电压等级；户外型电压互感器：安装在户外配电装置中，多用在及以上电压等级。

“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。光伏发电，其基本原理就是“光伏效应”。太阳能**的任务就是要完成制造电压的工作。因为要制造电压，所以完成光电转化的太阳能电池是阳光发电的关键。简单来说就是在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。样品和细胞的扩张/收缩 长度相对变化（ΔL）。

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。 基于压电的定位器（顶部）只在x轴上移动（5 nm步长）。模切尺寸激光干涉仪3D玻璃测量

工业位移传感器（IDS）。东莞粗糙度激光干涉仪

扩散型半导体应变片

这种应变片是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。 东莞粗糙度激光干涉仪