上海诺丞红外热像仪加装激光瞄准器

时间:2024年10月17日 来源:

由于大尺寸HgCdTe FPA探测器的制作成本居高不下,QWIP FPA探测器被寄予厚望,因而发展迅速。在LWIR波段,目前QWIP FPA探测器的性能足以与**的HgCdTe相媲美。QWIP也存在一些缺点:因存在与子带间跃迁相关的基本限制,QWIP需要的工作温度较低(一般低于液氮温度),QWIP的量子效率普遍很低。一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV红外热像仪相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来。与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例。红外热像仪的图像是否可以进行后期处理?上海诺丞红外热像仪加装激光瞄准器

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晶格失配度比较低时,红外热像仪InGaAs探测器的截止波长约为1.7μm,此时探测器所能达到的探测率是比较高的,接近于理论极限。由于在NIR波段表现出的优异性能,InGaAs探测器受到了来自包括美、法、德、日等多个国家的众多制造商的瞩目与重视,其中以美国TJT(Telddyne Judson Technologies)的成就**为突出。InGaAs探测器的响应波段刚好覆盖了夜空辉光的光谱带,有利于夜间观测目标物体的发射,因此在高空侦察方面有重要的应用价值,如美国U-2侦察机就装备了以InGaAs FPA探测器为**技术的SYERS Ⅱ照相机。OPTPI400红外热像仪推荐货源通过手机完成全部操作,配合移动互联网,将红外热像仪的操作性与便携性上升到了一个全新的高度。

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大家都知道分辨率的高低会直接影响屏幕显示的图片或图标的细致度,图像的分辨率越高,屏幕越细腻,图像也就越清晰,观看效果也就越好。所以分辨率的高低是选择热像仪的一个重要的参数。红外热像仪的分辨率有很多种,产品像素为640x480,中端红外热像仪的像素为320x240,低端红外热像仪的像素为160x120。相同距离拍摄同一物体,红外热像仪像素越高,所获得的红外热图像越清晰。像素越高,红外热像仪的价格也越高。MC640拥有高达640x480的超高分辨率,也是市面上为数不多的一款**的单筒红外夜视热成像仪。

红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***、技术成熟、性能优异的QWIP。对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR、LWIR甚至VLWIR波段。GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展。一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP。因此,红外热像仪是变电站设备无人值守监控时的选择。

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(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟。在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位。下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减。InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商。这些红外热像仪支持全天候24/7监测各个位置。中低温红外热像仪售后服务

建筑领域在国外是红外热像仪应用比较广的行业,渗水、保暖、鼓包、霉变等。但是国内还是未开垦的领域。上海诺丞红外热像仪加装激光瞄准器

红外热像仪具有许多优点,如非接触式测量、响应速度快、测量范围广等。它可以测量难以接近或高温物体的温度,无需破坏被测物体,因此在各个领域得到了很广的应用。然而,红外热像仪也存在一些限制,如受到环境温度、湿度、气体成分等因素的影响,可能导致测量精度下降。此外,不同物体的发射率也会影响红外热像仪的测量结果。因此,在使用红外热像仪时,需要根据实际情况进行校准和修正,以获得更准确的温度信息。总的来说,红外热像仪是一种功能强大、应用很广的温度测量设备。随着技术的不断发展,红外热像仪的性能将不断提升,为各个领域提供更精确、更便捷的温度测量解决方案。上海诺丞红外热像仪加装激光瞄准器

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