五金模具电池片磨

    原位掺杂:PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺优势:沉积速度快，沉积温度低，轻微的绕镀，可以用PECVD直接制备多晶硅层，流程相对简化劣势:厚度均匀性较差，纯度低，存在气泡爆膜问题，导致致密度和良率较低目前产业化程度较慢，根据Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳伟创、金辰股份、无锡微导等国内设备厂商已经布局该方法原则上没有绕镀问题，与PERC产线不兼容，更适合新的产线，后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性，成为主流技术3.离子注入:LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺优势:离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕镀，工艺温度低，成膜速度快劣势:扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD，设备成本高，靶材用量大，方阻均匀性有偏差目前主要是隆基绿能有布局，因占地面积较大，几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵，正逐渐被边缘化成本分析，大部分的TOPCon产线可以从PERC产线升级得来，极大降低设备投资成本TOPCon产线延长了PERC产线生命周期，有助于降低折旧费用主要新增的设备包括:多晶硅/非多晶硅沉积的LPCVD/PECVD/PVD设备、硼扩散设备等。 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15％左右，实验室成果也有20％以上的。五金模具电池片磨

    P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子。生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出。

  五金模具电池片磨以往制作太阳能电池主要是以硅晶为主要原料，而这种新型太阳能电池的发明是受到植物光合作用的启发。

    检查涂层在喷涂坩埚侧壁的过程中需用挡板遮住坩埚底部，约为侧壁3／4的地方。喷涂和刷涂过程中要均匀使液体凝聚，涂层必须满足均匀、无气泡、无脱落、无裂缝等条件方为合格。坩埚焙烧将喷好的坩埚放入烘箱内，开始坩埚焙烧,整个过程大概需要30~40小时，先快速升温至设定温度，保持几小时后，自然冷却至合适温度，再开盖冷却。值得注意的是，坩埚喷涂车间需要保持一定的温度，温度较低环境需在配比涂层时对纯水加热。原料的杂质浓度会影响铸锭炉的化料时间，铸锭炉在长晶等阶段出现异常，此时铸锭时间可能较一般工艺时间长2-4个小时，底部氮化硅的量太少会导致无法顺利脱模，硅锭底部开裂。而过量的氮化硅会覆盖住石英砂，从而导致引晶效果不明显，因此要在铸锭中做出适当的调整。多晶硅工序1、备料对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类，直到达到配比质量，计算出需要的掺杂剂质量。硅料的种类大致有多晶原硅料、多晶碳头硅料、多晶硅锭回收的硅料、单晶棒或单晶头、尾料、单晶锅底料、单晶碎硅片、其他半导体工业的下脚料等。2、装料装料时操作工戴上PVC手套和防护服，轻拿轻放防止氮化硅涂层被破坏。

    光伏电池片位于光伏产业链中游，是通过将单/多晶硅片加工处理得到的可以将太阳的光能转化为电能的半导体薄片电池片主要原材料为硅片，主要辅材为银浆、铝浆和化学试剂，主要动力为电力硅片:硅片是电池片主要原材料，在硅料价格持续上涨的背景下，硅片环节凭借其良好的价格传导能力且相对稳定的竞争格局，维持较好盈利能力，占电池片成本约为74-75%银浆:银浆为电池片结构中的电极材料，目前光伏银浆需求随着光伏行业的发展持续增长，占电池片成本约为8%光伏电池按原材料分为三类1.晶体硅太阳能电池2.薄膜太阳能电池3.各种新型太阳能电池单晶硅片制造企业利用单晶硅炉生产单晶硅棒多晶硅片制造企业利用铸锭炉生产多晶硅锭之后再将硅棒或硅锭切割成单晶硅片或者多晶硅片，终用于太阳能电池板、电池组件生产光伏硅片大体可以分为多晶硅片和单晶硅片当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则为多晶如果晶面取向相同，则为单晶，单晶电池转换效率可以比多晶电池高2-3个百分点生产步骤拉晶、切片为单晶硅片主要生产步骤，主要设备均已国产化拉晶工艺主要包括Fz法和Cz法悬浮区熔法(Fz-floatzone)。

   目前太阳能电池主要包括晶体硅电池和薄膜电池两种。

    使Si氧化为SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成络合物H2SiF6。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成粗糙的多孔硅层，有利于减少光发射，增强光吸收表面，为了控制化学反应的剧烈程度，有时加入一些其他的化学品。3Si+4HNO3＝3SiO2+2H2O+4NOSiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2OSi+HNO3+6HF＝H2SiF6+HNO2+H2O+H213绒面为什么是球形在硅与硝酸的反应中，除了生成SiO2，还生成NO气体，在硅片表面形成气泡，导致硅片表面产生球形腐蚀坑的只要原因。14为什么去除多孔硅膜酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜，这个多孔硅膜具有极低的发射系数，但是，它不利于p－n结的形成和印刷电极，使用稀释的NaOH溶液来去除多孔硅膜。15多晶硅绒面形貌随着反应时间的增加，表面形貌从微裂纹状到气泡状，发射率是一个先降后升的过程，其中微裂纹状织构的发射率比气泡状的低，但综合后续工艺要求表面织构的形貌应介于微裂纹状和气泡状之间。16硅片清洗中的超声波技术超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法,该方法的优点是:清洗效果好,操作简单,对于复杂的器件和容器也能,但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。该法的清理原理如下：在强烈的超声波作用下。

   扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就硅片上形成P>N结。五金模具电池片磨

单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15％左右，实验室成果也有20％以上的。五金模具电池片磨

    硅单晶Cz法拉制P型硅和N型硅的流程几乎相同，但由于硼在硅中更易保证均匀性，故P型硅的制备相对简单，工艺技术也更加成熟，目前在P型硅片衬底上生产的P型电池是市场主流N型电池目前较主流的技术为TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)和HJT(本征薄膜异质结)N型电池通过电子导电，且硼氧原子对造成的光致衰减较少，因此光电转换效率更高，将会是电池技术发展的主要方向对比P型优势，N型电池片少子是空穴，硅片中杂质对电子的捕获远大于空穴，根据普乐科技，在相同金属杂质污染的情况下，N型电池片表面复合速率低，少子寿命比P型电池片高1-2个数量级，能极大提升电池的开路电压，电池转换效率更高，晶体硅中硼含量极低，本质上削弱了硼氧对的影响，光致衰减效应接近于零，红外透过率高，电流通道多根据摩尔光伏，N型电池片工作温度较常规单玻组件低3-9°C，减小因温度提高带来的功率下降，根据摩尔光伏，N型电池片在辐照强度低于400W/m2的阴雨天及早晚仍可发电。四种主流技术路线一.PERC电池PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池，全称为“发射极和背面钝化电池”，是从常规铝背场电池AL-BSF结构自然衍生而来。 五金模具电池片磨

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