广州精磨平面加工

    为什么砂轮能作为磨削工具砂轮是磨削的切削工具，它由许多细小而坚硬的磨粒和结合剂粘而成的多孔物体。磨粒直接担负着切削工作，必须锋利并具有高的硬度，耐热性和一定的韧性。常用的磨料有氧化铝(又称刚玉)和碳化硅两种。氧化铝类磨料硬度高、韧性好，适合磨削钢料。碳化硅类磨料硬度更高、更锋利、导热性好，但较脆，适合磨削铸铁和硬质合金。同样磨料的砂轮，由于其粗细不同，工件加工后的表面粗糙度和加工效率就不相同，磨粒粗大的用于粗磨，磨粒细小的适合精磨、磨料愈粗，粒度号愈小。结合剂起粘结磨料的作用。常用的是陶瓷结合剂，其次是树脂结合剂。结合剂选料不同，影响砂轮的耐蚀性、强度、耐热性和韧性等。磨粒粘结愈牢，就愈不容易从砂轮上掉下来，就称砂轮的硬度，即砂轮的硬度是指砂轮表面的磨粒在外力作用下脱落的难易程度。容易脱落称为软，反之称为硬。砂轮的硬度与磨料的硬度是两个不同的概念。被磨削工件的表面较软，磨粒的刃口(棱角)就不易磨损，这样磨粒使用的时间可以长些，也就是说可选粘接牢固些的砂轮(硬度较高的砂轮)。反之，硬度低的砂轮适合磨削硬度高的工件。砂轮在高速条件下工作，为了保证安全，在安装前应进行检查，不应有裂纹等缺陷。

    研磨时用手轻按住零件，使磨痕交叉以提高表面粗糙度等级，研磨一段时间后，将零件转动一定角度再继续研磨。广州精磨平面加工

    国内可以生产多晶钻石微粉的厂家有北京国瑞升和四川久远，而国瑞升同时可以自己生产钻石液，因此在品质与成本上具有较大优势。美国的DiamondInnovation近推出了“类多晶钻石”，实际是对普通单晶钻石的一种改良，虽然比较坚固的结构能提供较高的切削力，但是同时也更容易造成较深的刮伤。抛光：多晶钻石虽然造成的刮伤明显小于单晶钻石，但是仍然会在蓝宝石表面留下明显的刮伤，因此还会经过一道CMP抛光，去除所有的刮伤，留下完美的表面。CMP工艺原本是针对矽基板进行平坦化加工的一种工艺，现在对蓝宝石基板同样适用。经过CMP抛光工艺的蓝宝石基板在经过层层检测，达到合格准的产品就可以交给外延厂进行磊晶了。芯片的背部减薄制程磊晶之后的蓝宝石基板就成为了外延片，外延片在经过蚀刻、蒸镀、电极制作、保护层制作等一系列复杂的半导体制程之后，还需要切割成一粒粒的芯片，根据芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成为数千至上万个CHIP。前文讲到此时外延片的厚度在430um附近，由于蓝宝石的硬度以及脆性，普通切割工艺难以对其进行加工。目前普遍的工艺是将外延片从430um减薄至100um附近，然后再使用镭射进行切割。

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    研磨速度研磨速度是控制余量去除速度和研磨表面质量的重要工艺参数。图5为工件余量去除、研磨便面粗糙度与研磨速度的关系曲线。为了获得规定的表面粗糙度而必须耗费的研磨时间大于去除余量所需的时间，就应适当降低研磨速度，反之一样，而平面研磨时速度可参照表2选取研磨速度。研磨速度对余量去除和表面粗糙度的影响对研具的磨损影响很大。研磨速度过快时，研具急剧磨损，可能引起工件的热变形，直接影响加工精度。因此，为了避免研磨磨损过快，可根据实际情况，在表2基础上选取1/3~1/2范围进行研磨。研磨时间通常密封面在研磨前，通过其他加工方式获得预加工精度，研磨开始阶段，因研磨剂磨粒锋利，微切削作用强，零件研磨表面的几何形状误差和粗糙度较快得以纠正。随着研磨时间延长，磨粒钝化，微切削作用下降，不仅加工精度不能提高，反而因热量增加造成表面质量下降。所以，粗研时在规定工艺参数内，选用较粗的研磨剂、较高速度和研磨压力下进行研磨，以较快地消除几何形状误差和切去较大的加工余量，通常即可完成粗磨，以密封面全部研磨出为准。一般精研时间约为5min~10min，超过10min研磨效果不明显。抛光完成研磨后的密封面，便面采用酒精或清洗器密封面。

    高精密平面研磨机可以实现镜面效果,光洁度可以比较高达到，加工范围很广，可以对蓝宝石衬底，水晶，硅片，光电材料，光学玻璃，手机玻璃，手机触摸屏，陶瓷片，石英片，石墨密封环，硅晶圆等非金属材质进行双面研磨，还能对铜材，铁，铝材，不锈钢，模具钢，塑料，铝合金，锌合金，钛合金，镍合金，锡合金，硬质合金，碳钢，钨钢等各种金属材质进行双面研磨加工。高精密平面研磨机采用独特的安全锁紧机构,防止意外断气、断电而“掉盘”伤人的意外发生,主要用于各类型的铝材面抛光，有平面、斜面、圆面、圆弧面以及凹槽面及其他。根据所加工的要求可以选用适合要求的抛光轮来满足工件所需要的高速有效的去除掉挤压痕、自然氧化膜，同时具备抛光的功能,该系列抛光机已被广的用于各类如LED蓝宝石衬底、光学玻璃晶片、石英晶片、硅片、不锈钢等等各类材料的单面的研磨。海德平面研磨抛光机HD-610属高精密平面研磨机，研磨机的精密度为平面度可达，粗糙度可达。广用于蓝宝石钟表玻璃、手机玻璃、光学玻璃晶片、LED蓝宝石衬底、陶瓷板、活塞环、阀片、铝铁硼、铁氧体、铌酸锂、钽酸锂、PTC热敏电阻、光盘基片、陶瓷密封环、硬质合金密封环、钨钢片、等各种材料的单双面研磨抛光。

     通常研磨余量控制在0.02mm~0.04mm。

    什么是精密平面研磨抛光加工？原始的定义是指在一块很平坦的定盘上（如花岗石、铸铁…等，都叫LAP），把加工物放在上面，均匀地移动，使它因摩擦而产生一个很好的平面，它就是LAPPING，只是手工随著机械加工业的神速进展，就发展出单面LAPPING机及双面精磨机，这几年又配合手机加工行业蓬勃发展，又发展出很多专业用途的磨精度机器。抛光液的性能直接影响到抛光后工件的表面质量，是平面研磨抛光加工的关键要素之一。抛光液一般包括超细的固体磨粒(如纳米A120:及Si0:磨粒等)、表面活性剂以及氧化剂和稳定剂等几部分，其中固体磨粒产生切削作用，去除发生化学变化需要切除的部位，氧化剂产生化学腐蚀溶解作用，溶解切屑。在抛光过程中，抛光液中磨粒的种类、形状、大小、浓度、化学成分、PH值、粘度、流速和流动的途径都会对去除速度产生影响。对不同材料的工件进行抛光时，所需要抛光液的成份、PH值也不尽相同同。PH值影响工件的表面质量和去除率表现在对磨料的分解与溶解度、被抛表面刻蚀及氧化膜的形成、悬浮度(胶体稳定性)等方面，因此需要严格控制抛光液的PH值。 五金平面精密磨加工生产销售，就选深圳铭丰庆，有需求可以来电咨询！惠州精密加工平面

研磨速度是控制余量去除速度和研磨表面质量的重要工艺参数。广州精磨平面加工

    浅谈平面超精研磨工艺煤直接液化装置上用的金属密封球阀,其严苛工况对密封面粗糙度和平面度提出更高的要求，采用传统的研磨工艺，加工后的零件表面粗糙度只达到，无法满足超精密封技术要求，超精研磨工艺研究已然成为阀门行业的一个重要课题。下面对平面密封面技术要求进行简要分析以规格为6"，2500LB煤化工样机平面密封面技术要求为例，其阀体和阀座零件密封面材质分别为STL21和NI-WC，硬度均≥45HRC，光洁度要求，平面度要求。尤其阀体平面密封面处于内孔底面，具体如图1所以，技术要求难点主要体现在如下两方面：(1)平面度要求较高。采用车削加工方式，在切削条件理想状态下精度可保持在(因密封面所处位置原因，无法采用磨削方式加工)。(2)粗糙度要求较高。常规切削方式粗糙度保持在，无法达到。超精研磨加工在结合传统的研磨工艺基础上超精研磨各个工艺环节的影响因素进行分析，形成图2所示超精研磨工艺的输入树形结构图。研磨剂(1)磨料碳化硼(B4C)是已知坚硬的三种材料之一，具有高硬度、高耐磨性和易碎性较低等特性，并且在研磨过程中破碎后仍保持一定的锋刃，可作为硬质合金材料(尤其对于NI-WC密封面，其硬度≥63HRC)研磨磨料优先。

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