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    r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。14.根据实施方案13所述的有机发光二极管，其中所述基质选自式8：[式8]15.根据实施方案1所述的有机发光二极管，还包括：包含蓝色掺杂剂并布置在所述发光材料层与所述第二电极之间的第二发光材料层；和在所述发光材料层与所述第二发光材料层之间的电荷生成层。16.根据实施方案15所述的有机发光二极管，还包括：包含第二蓝色掺杂剂并布置在所述电极与所述发光材料层之间的第三发光材料层；和在所述发光材料层与所述第三发光材料层之间的第二电荷生成层。17.根据实施方案15所述的有机发光二极管，还包括：包含第二延迟荧光掺杂剂和第二磷光掺杂剂并布置在所述第二发光材料层与所述第二电极之间的第三发光材料层；以及在所述第二发光材料层与所述第三发光材料层之间的第二电荷生成层。18.根据实施方案17所述的有机发光二极管，其中所述第二延迟荧光掺杂剂为绿色掺杂剂，以及所述第二磷光掺杂剂为红色掺杂剂。19.根据实施方案18所述的有机发光二极管，其中所述第二磷光掺杂剂相对于所述第二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在％至％的范围内。乐山二极管找巨新科。杭州panjit二极管

    第二电极412为用于注入电子的阴极并且包含低的功函数的导电材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分别被定位在发光部分430与第二发光部分450之间和第二发光部分450与第三发光部分470之间。即，发光部分430、cgl480、第二发光部分450、第二cgl490和第三发光部分470顺序堆叠在电极410上。换言之，发光部分430被定位在电极410与cgl480之间，第二发光部分450被定位在cgl480与第二cgl490之间。此外，第三发光部分470被定位在第二电极412与第二cgl490之间。发光部分430可以包括顺序堆叠在电极410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在电极410与eml420之间，hil432被定位在电极410与htl434之间。此外，etl436被定位在eml420与cgl480之间。eml420包含蓝色掺杂剂422。例如，蓝色掺杂剂422可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是eml420还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂422的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。第二发光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480与第二eml440之间，第二etl454被定位在第二eml440与第二cgl490之间。潮州快恢复二极管厂家捷捷微二极管原装现货。

    具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细的描述。本发明提出一种基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块，如图1所示，像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一电阻r1、二电阻r2、一电流源i1和二电流源i2，一运算放大器op1的正相输入端连接基准电压vref，其反相输入端连接二pmos管mp2的源极和一电流源i1，其输出端连接一pmos管mp1的栅极；一pmos管mp1的源极连接电源电压，其漏极连接二pmos管mp2的栅极并通过一电阻r1后连接负电源电压vne；二运算放大器op2的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管mp4的源极和二电流源i2，其输出端连接三pmos管mp3的栅极；三pmos管mp3的源极连接电源电压，其漏极连接四pmos管mp4的栅极并通过二电阻r2后连接负电源电压vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏极连接负电源电压vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于产生一运算放大器op1和二运算放大器op2的反相输入端信号，一电流源i1和二电流源i2用于为二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置电流。

    以及磷光掺杂剂244具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，以及第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂242可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂244可以由式5表示。磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比可以在约％至％的范围内，推荐约％至％。尽管未示出，但是eml240还可以包含基质。基质可以在eml240中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl274和eil276。第二htl272被定位在cgl280与第二eml260之间，第二etl274被定位在第二eml260与第二电极230之间。此外，eil276被定位在第二etl274与第二电极230之间。第二eml260包含蓝色掺杂剂262。蓝色掺杂剂262具有与eml240中的延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂262可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是第二eml260还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂262的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。捷捷微整流二极管原装现货。

    五pmos管mp5的栅极连接一电流镜单元的输出端和二电流镜单元的输出端并通过三电阻r3后连接负电源电压vne，其漏极连接负电源电压vne，其源极输出浮动地电压作为雪崩光电二极管的偏置电压。浮动地电压连接复位管gn的源极，复位管gn的漏极连接淬灭管gp的源极和雪崩光电二极管的的阳极。一电流镜单元用于将流过一pmos管mp1的电流按比例镜像，实施例中提出一种比例电流镜结构，能够步进调节镜像的电流比例，如图1所示，一电流镜单元包括一开关s1、二开关s2、三开关s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4；六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的栅极均连接一pmos管mp1的栅极，其源极均连接电源电压，其漏极分别通过一开关s1、二开关s2和三开关s3后连接一电流镜单元的输出端。本实施例中一电流镜单元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分别与一pmos管mp1构成电流镜结构，且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4，因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分别能够按照1:1、1:2、1:4的比例镜像一pmos管mp1的电流，结合对一开关s1、二开关s2、三开关s3的控制。强茂稳压二极管原装现货。激光二极管哪里买

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