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在本申请的一个实施例中，步骤2)中，靶材为铜靶，氩气流量为50～500sccm，制得的低发射率膜的厚度为180～220nm。在本申请的一个实施例中，步骤3)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～300sccm，氮气流量为10～100sccm，制得的缓冲膜的厚度为30～150nm。在本申请的一个实施例中，步骤4)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～500sccm，氮气流量为10～200sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的过渡膜的厚度为30～100nm。在本申请的一个实施例中，步骤5)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～300sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的吸收膜的厚度为30～120nm。为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例。重庆太阳光谱模拟AM1

5)反应性溅镀制备吸收膜：在第五真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在步骤4)制得的过渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸热体的基材的外表面上制得包括6层的膜层。在本申请的一个实施例中，步骤1)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～200sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的强化膜的厚度为30～120nm。天津AM0太阳光谱模拟AM0一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，包括以下依次进行的步骤。

如图4所示，在本实施例以可行的方式中，***计算模块320例如可以包括：***计算单元321，用于根据尺寸、地理经度区间、地理纬度区间，计算地球静止轨道卫星光学遥感图像中每个像素对应的地理经度和地理纬度。第二计算单元322，用于根据拍摄日期，计算拍摄日期对应的太阳赤纬角和大气层上界垂直入射时的太阳辐射强度。第三计算单元323，用于根据拍摄时刻和地理经度，计算拍摄时刻的太阳时角。第四计算单元324，用于根据太阳赤纬角、太阳时角和地理纬度，计算拍摄时刻的太阳高度角。

根据拍摄时刻和所地理经度，计算拍摄时刻的太阳时角。在本实施例一可行的方式中，可根据ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)计算太阳时角，其中，t为拍摄时刻，ω(x，t)为坐标为(x，y)的像素点在t时刻对应的太阳时角。s24，根据太阳赤纬角、太阳时角和地理纬度，计算拍摄时刻的太阳高度角。在本实施例一可行的方式中，可根据α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)计算太阳高度角α(x，y，d，t)。溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤。

推荐的，步骤3)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～300sccm，氮气流量为10～100sccm，制得的缓冲膜的厚度为30～150nm。推荐的，步骤4)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～500sccm，氮气流量为10～200sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的过渡膜的厚度为30～100nm。推荐的，步骤5)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～300sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的吸收膜的厚度为30～120nm。推荐的，步骤6)中，靶材为硅靶，氩气流量为50～500sccm，氧气流量为50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度为60～200nm。推荐的，步骤1)中，吸热体的基材为不锈钢片、铝板或铜板。本申请提供了一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，包括以下依次进行的步骤。甘肃AM1.5太阳光谱模拟代理

堆栈式电池就像是太阳光筛子，每层的特制材料吸收特定波长**的能量。重庆太阳光谱模拟AM1

步骤5)中，靶材为铬靶，功率为11kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为110sccm，氧气流量为90sccm，制得的吸收膜的厚度为80nm；6)反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸热体的基材的外表面上制得包括6层的膜层；步骤6)中，靶材为硅靶，功率为6kw，电压为560v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为220sccm，氧气流量为30sccm，制得的抗反射膜的厚度为120nm。重庆太阳光谱模拟AM1

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