天津代理太阳光谱模拟工厂

1)反应性溅镀制备强化膜：在***真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在吸热体的基材的外表面上形成强化膜；步骤1)中，吸热体的基材为不锈钢片；步骤1)中，靶材为铬靶，功率为9kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为120sccm，氧气流量为80sccm，制得的强化膜的厚度为70nm；膜厚是根据工艺要求可调整的；2)溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜；相对的，目前大部分常见太阳能电池只能将25%的可用能量转换为电力。天津代理太阳光谱模拟工厂

这发生在太阳大气层的外层（夫琅和费线），或通过地球大气层内的吸收（由水蒸气或氧气等气体引起的大气吸收谱线）。每个单独的条纹由标准具或VIPA的一个FSR隔开。标准具FSR由其制造工艺精确确定，这意味着将原始条纹图像与现有文献中的太阳光谱进行比较，即可得到相应的太阳光谱。HN-9332光谱仪在518nm附近记录的太阳极光光谱显示了太阳外层的Mg三重态吸收(除了所示的Mg线和Fe线之外，在太阳光谱的这个区域也有一些Ni吸收线）。比较LightMachineryHF-8989-2e光谱仪记录的太阳光谱（红色数据）和参考光谱（蓝色数据）天津代理太阳光谱模拟工厂如果所通入的气体含量刚好足够与溅射出的原子进行反应，使得在靶材表面甚少形成化合物，则有利溅射的进行。

为了得到高质量的化合物薄膜，通常在溅镀金属靶时，通入与被溅射出的物质反应的气体，相互反应生成所需的化合物沉积在基材上，此种溅镀系统称为反应性溅镀。如果所通入的气体含量刚好足够与溅射出的原子进行反应，使得在靶材表面甚少形成化合物，则有利溅射的进行。相反地，如果通入过量的气体，则不仅在基材上与溅射出的原子进行反应，也会在靶面上与靶材反应生成化合物。因此，如何提高吸热体的基材的外表面上的薄膜对太阳热能的吸收，提高光热转换的效率，是本领域技术人员急需解决的技术问题。技术实现要素：

经检测，本实施例1制备的膜层的吸收率为94％，比现有技术中膜层的吸收率提高了3％～9％；本申请制备的膜层的发射率为4％，比现有技术中膜层的发射率降低了3％～12％；膜层的附着力根据标准要求测试，结果为1级；采用本申请制备的膜层的太阳能集热器的热效率为80.4％，比采用现有技术中膜层的太阳能集热器的热效率提高了6％～8.4％。本发明未详尽描述的方法和装置均为现有技术，不再赘述。本文中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其**思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。膜层的附着力根据标准要求测试，结果为1级；本申请制备的膜层的光热转换的效率为77％～82％。

步骤5)中，靶材为铬靶，功率为11kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为110sccm，氧气流量为90sccm，制得的吸收膜的厚度为80nm；6)反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸热体的基材的外表面上制得包括6层的膜层；步骤6)中，靶材为硅靶，功率为6kw，电压为560v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为220sccm，氧气流量为30sccm，制得的抗反射膜的厚度为120nm。为了得到高质量的化合物薄膜，通常在溅镀金属靶时，通入与被溅射出的物质反应的气体。陕西销售太阳光谱模拟AM1.5

在第五真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬。天津代理太阳光谱模拟工厂

步骤2)中，靶材为铜靶，功率为7kw，电压为520v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为320sccm，制得的低发射率膜的厚度为200nm；3)反应性溅镀制备缓冲膜：在第三真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬，反应生成的氮化铬沉积在步骤2)制得的低发射率膜的外表面上形成缓冲膜；步骤3)中，靶材为铬靶，功率为7kw，电压为420v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为240sccm，氮气流量为43sccm，制得的缓冲膜的厚度为90nm；天津代理太阳光谱模拟工厂

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