杭州玻璃二极管分类
二极管的结构组成:二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 二极管的电路符号所示。二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性。杭州玻璃二极管分类
二极管种类:PIN二极管(P-intrinsic-N Diode)PN之间一层高电阻的半导体层,使少数载子的积蓄效果增加,逆回复时间也较长。利用顺向偏压时高频率讯号较容易通过的性质,用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管应用于低功率微波振荡器。交流二极管(DIAC)、突波保护二极管、双向触发二极管当施加超过规定电压(Break Over电压,VBO)的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另,虽被称为二极管,实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。湖州普通二极管市场报价二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。
二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和反向电压作用下,其流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流为5μA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。
二极管电路分析思路说明对电路中VD1和VD2作用分析的思路主要说明下列几点:(1)从电路中可以看出,VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6两组二极管的电路结构一样,这两组二极管在这一电路中所起的作用是相同的,所以只要分析其中一组二极管电路工作原理即可。(2)集成电路A1的①脚通过电阻R1与三极管VT1基极相连,显然R1是信号传输电阻,将①脚上输出信号通过R1加到VT1基极,由于在集成电路A1的①脚与三极管VT1基极之间没有隔直电容,根据这一电路结构可以判断:集成电路A1的①脚是输出信号引脚,而且输出直流和交流的复合信号。确定集成电路A1的①脚是信号输出引脚的目的是为了判断二极管VD1在电路中的具体作用。二极管由红外辐射效率高的材料(常用砷化镓GaAs)制成PN结。湖州普通二极管市场报价
面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压。杭州玻璃二极管分类
二极管中的电子二极管只具有一个阴极与一个 阳极(板极)的 电子管。也叫真空二极管。只它是靠被 灯丝加热的阴极发射电子导电的。具有单向导电性能,即阳极电位高于阴极时,阴极发射的电子在电场的作用下,向阳极运动形成 电子流。而阴极电压比阳极高时,电子所受到的 电场力是将电子拉回阴极的,不能产生电流,一般用于整流与检波,有真空与充气(充有 惰性气体)两种电子 二极管。充气二极管也可以做稳压、指示、控制之用。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。开关二极管就是利用这种特性,且通过制造工艺,开关特性更好,即开关速度更快,PN结的结电容更小,导通时的内阻更小,截止时的电阻很大。杭州玻璃二极管分类
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