西藏代理太阳光谱模拟AM1

以AgAl-Al2O3金属陶瓷薄膜作为吸收层，成功构建了AgAl-Al2O3太阳光谱选择性吸收涂层。在氮气气氛下经500℃退火1002 h，其太阳光谱吸收率稳定在95%左右，400℃红外发射率约在10-11%，如图1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。   目前国内外研究人员积极开发基于熔融盐（如60% KNO3+40% NaNO3）热工质的高温太阳能热发电系统，其工作温度常在550℃以上，客观上对太阳光谱选择性吸收涂层提出了更为苛刻的要求，如何获得600℃下具备优异热稳定性的太阳光谱选择性吸收涂层是亟需攻克的难题之一。此外，相反地，如果通入过量的气体，则不仅在基材上与溅射出的原子进行反应，也会在靶面上与靶材反应生成化合物。西藏代理太阳光谱模拟AM1

厚度为0.1～2μm的薄层金属氧化物或硫化物，如氧化铜、氧化铬等，具有很高的太阳辐射吸收比和长波辐射透射比。6层构成的膜层的缓冲膜、过渡膜、吸收膜的主要成分是氧化铬等氧化物，能够吸收波长范围为0.20～3.0μm的太阳辐射能量并转化为热能。本申请实现了用于选择性吸收太阳光谱的膜层的吸收率高、发射率低以及附着力好，其中的工作原理是：在2500nm波长以下的太阳光反射光谱，反射率越低，吸收率越高，相反的，在2500nm波长以上的太阳光反射光谱，反射率越高，发射率越低；对基材表面作预处理，增加吸热体表面粗超度，能有效增强附着力，根据标准要求测试，结果为1级。河北销售太阳光谱模拟低价反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材。

步骤2)中，靶材为铜靶，功率为7kw，电压为520v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为320sccm，制得的低发射率膜的厚度为200nm；3)反应性溅镀制备缓冲膜：在第三真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬，反应生成的氮化铬沉积在步骤2)制得的低发射率膜的外表面上形成缓冲膜；步骤3)中，靶材为铬靶，功率为7kw，电压为420v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为240sccm，氮气流量为43sccm，制得的缓冲膜的厚度为90nm；

步骤5)中，靶材为铬靶，功率为11kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为110sccm，氧气流量为90sccm，制得的吸收膜的厚度为80nm；6)反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸热体的基材的外表面上制得包括6层的膜层；步骤6)中，靶材为硅靶，功率为6kw，电压为560v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为220sccm，氧气流量为30sccm，制得的抗反射膜的厚度为120nm。此外，堆叠过程使用了一种名为转印的技术，这一技术能以高精度三维组装这些微小的设备。

用于比较光谱仪分辨能力的两条氧气谱线用箭头标识(实验数据以红色显示，并与文献中的参考光谱进行了比较。右侧显示629.216nm处氧线的放大视图，以及红色He-Ne激光器（632.816nm处的单频源）的光谱的插图。03测量太阳自转引起的多普勒频移由于太阳吸收线和大气氧线在太阳光谱的某些区域非常接近，这种接近可以通过测量太阳吸收线相对于固定氧线的多普勒频移来确定太阳的旋转速度，从而确定地球和太阳之间的当前距离。进行这项实验所需的***设备是高频光谱仪和太阳望远镜。当太阳相对于地球自转时，太阳圆盘的一个分支朝着地球移动，而另一个分支后退。我们的新设备能够解锁存储在长波长光子中的能量，这些是传统太阳能电池力所未逮之处。浙江AM1.5太阳光谱模拟工厂

对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例。西藏代理太阳光谱模拟AM1

显示的区域约1纳米宽，中心在628纳米左右。通过*0.7秒的单次曝光记录太阳光谱的可见区域，演示了HN-9332光谱仪的宽波长覆盖范围。图的左侧部分显示了SpectraLoK软件直接显示的整个425-700nm波长范围。图的右部分显示了在517nm附近镁三重态周围连续扩展的区域。HN-9332光谱仪的仪器分辨率比较好用频率单位来表示——仪器波长覆盖范围约20GHz，对应于425nm处约15pm、550nm处约2pμm和700nm处约30pm的分辨率。因此，图中显示的数据可以理解为相当于>10000个分辨率点，所有这些分辨率点都记录在不到1秒的单次曝光中。西藏代理太阳光谱模拟AM1

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