浙江上打光太阳光谱模拟AM1

胶态量子点具有两大优势。首先是更廉价，因为它们降低了每瓦电力产生的成本，但更主要的优势在于，只需简单改变量子点的大小，就能改变吸收光谱。大小容易改变且可调谐是等离子材料的属性：通过改变等离子粒子的大小，研究人员就能将这两种重要纳米粒子的吸收和散射光谱重叠起来。   萨金特研究小组通过将金纳米壳直接嵌入量子点吸收膜提高了太阳能电池的效率，他们下一步将寻找利用更廉价的金属来达成相同的目标。美国加州大学纳米系统研究所所长保罗·维斯认为，该项研究的重要性在于展示了通过调节纳米粒子特性以提高太阳能电池效率的潜力。**优于国家标准要求，太阳吸收比α(am1.5)达0.94，半球发射比εh(80℃)*为0.038。浙江上打光太阳光谱模拟AM1

用于比较光谱仪分辨能力的两条氧气谱线用箭头标识(实验数据以红色显示，并与文献中的参考光谱进行了比较。右侧显示629.216nm处氧线的放大视图，以及红色He-Ne激光器（632.816nm处的单频源）的光谱的插图。03测量太阳自转引起的多普勒频移由于太阳吸收线和大气氧线在太阳光谱的某些区域非常接近，这种接近可以通过测量太阳吸收线相对于固定氧线的多普勒频移来确定太阳的旋转速度，从而确定地球和太阳之间的当前距离。进行这项实验所需的***设备是高频光谱仪和太阳望远镜。当太阳相对于地球自转时，太阳圆盘的一个分支朝着地球移动，而另一个分支后退。辽宁下打光太阳光谱模拟滤光片反应生成的氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬沉积在步骤3)制得的缓冲膜的外表面上形成过渡膜。

根据本发明的实施例的模块、单元中的任意多个、或其中任意多个的至少部分功能可以在一个模块中实现。根据本发明实施例的模块、单元中的任意一个或多个可以被拆分成多个模块来实现。根据本发明实施例的模块、单元中的任意一个或多个可以至少被部分地实现为硬件电路，例如现场可编程门阵列(fpga)、可编程逻辑阵列(pla)、片上系统、基板上的系统、封装上的系统、**集成电路(asic)，或可以通过对电路进行集成或封装的任何其他的合理方式的硬件或固件来实现，或以软件、硬件以及固件三种实现方式中任意一种或以其中任意几种的适当组合来实现。或者，根据本发明实施例的模块、单元中的一个或多个可以至少被部分地实现为计算机程序模块，当该计算机程序模块被运行时，可以执行相应的功能。

根据拍摄时刻和所地理经度，计算拍摄时刻的太阳时角。在本实施例一可行的方式中，可根据ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)计算太阳时角，其中，t为拍摄时刻，ω(x，t)为坐标为(x，y)的像素点在t时刻对应的太阳时角。s24，根据太阳赤纬角、太阳时角和地理纬度，计算拍摄时刻的太阳高度角。在本实施例一可行的方式中，可根据α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)计算太阳高度角α(x，y，d，t)。为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例。

1)反应性溅镀制备强化膜：在***真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在吸热体的基材的外表面上形成强化膜；步骤1)中，吸热体的基材为不锈钢片；步骤1)中，靶材为铬靶，功率为9kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为120sccm，氧气流量为80sccm，制得的强化膜的厚度为70nm；膜厚是根据工艺要求可调整的；2)溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜；本申请制备的膜层的发射率为3％～5％，比现有技术中膜层的发射率降低了3％～12％。福建AM0太阳光谱模拟销售

本申请提供了一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，包括以下依次进行的步骤。浙江上打光太阳光谱模拟AM1

2)溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜；3)反应性溅镀制备缓冲膜：在第三真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬，反应生成的氮化铬沉积在步骤2)制得的低发射率膜的外表面上形成缓冲膜；4)反应性溅镀制备过渡膜：在第四真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气与氮气发生化学反应生成氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬，反应生成的氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬沉积在步骤3)制得的缓冲膜的外表面上形成过渡膜；浙江上打光太阳光谱模拟AM1

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