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反应性溅镀制备缓冲膜：在第三真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氮气发生化学反应生成氮化铬，反应生成的氮化铬沉积在步骤2)制得的低发射率膜的外表面上形成缓冲膜；4)反应性溅镀制备过渡膜：在第四真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气与氮气发生化学反应生成氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬，反应生成的氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬沉积在步骤3)制得的缓冲膜的外表面上形成过渡膜；5)反应性溅镀制备吸收膜：在第五真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在步骤4)制得的过渡膜的外表面上形成吸收膜；相反地，如果通入过量的气体，则不仅在基材上与溅射出的原子进行反应，也会在靶面上与靶材反应生成化合物。上海下打光太阳光谱模拟代理

第五计算单元325，用于根据太阳高度角和所述拍摄位置高程，计算相对大气光学质量；第六计算单元326，用于根据相对大气光学质量，计算直射辐射大气透明度系数，并根据直射辐射大气透明度系数，计算散射辐射大气透明度系数；第七计算单元327，用于根据大气层上界垂直入射时的太阳辐射强度、所述直射辐射大气透明度系数和太阳高度角，计算所述太阳直接辐射强度；第八计算单元328，用于根据散射辐射大气透明度系数和太阳高度角，计算太阳散射辐射强度。需要说明的是，装置部分的实施例方式与方法部分的实施例方式对应类似，具体细节请参照方法实施例部分，在此不再赘述。上打光太阳光谱模拟滤光片我们的新设备能够解锁存储在长波长光子中的能量，这些是传统太阳能电池力所未逮之处。

在本申请的一个实施例中，步骤6)中，靶材为硅靶，氩气流量为50～500sccm，氧气流量为50～200sccm，制得的抗反射膜的厚度为60～200nm。在本申请的一个实施例中，步骤1)中，吸热体的基材为不锈钢片、铝板或铜板。本申请中，sccm为体积流量单位，意义为标况毫升/分钟。本申请提供的膜层能够选择性吸收太阳光谱，其中的原理是：太阳辐射到地球上的绝大部分能量，来源于0.20～3.0μm波长范围的紫外线、可见光和红外线，这个波长范围内的能量占地球外太阳辐射总能量的98.07％；而热辐射的波长范围主要集中在2.5～30μm。光谱选择性吸收涂层是应用在吸热体上的，它就是利用太阳辐射的波长范围(主要集中在0.20～3.0μm)与热辐射的波长范围不相同这一特性，可以增强吸热体对太阳辐射吸收的同时，减少吸热体向环境的热辐射损失。选择性涂层材料的比较大特点在于，它们对不同光谱区的辐射具有不同的热辐射性质。

科学家们设计和建造了一种新型太阳能电池的原型，将多个电池堆叠到一个设备中，能捕捉太阳光谱中几乎所有能量。这一新设计转换太阳光为电力的效率是44.5%，有望成为世界上效率的太阳能电池。   这一方法不同于一般在房顶或者田野中看到的那种太阳能电池板。这一新设备利用了聚光光伏(CPV)电池板，利用透镜将太阳光集中到微小尺度的太阳能电池上。由于其尺寸很小——小于1平方毫米，因此可以有效地开发具有更复杂材料的太阳能电池。   堆栈式电池就像是太阳光筛子，溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤。

近年来，中国科学院宁波材料技术与工程研究所功能薄膜与智构器件团队聚焦新型金属陶瓷基太阳光谱选择性吸收涂层研发，以提升热稳定性为抓手，在新型耐高温金属陶瓷材料设计、光学模拟、涂层构筑和热稳定性强化机理研究等方面开展了一系列的工作。前期，利用金属Al合金化Ag纳米粒子，结合多靶共溅射的方法，获得新型AgAl-Al2O3金属陶瓷薄膜，耐热温度较Ag-Al2O3（350℃）提高至500℃，在非真空条件下经高温长时间退火（~1000 h），光学性能非常稳定（ACS Applied Materials Interfaces 2014, 6, 11550; Applied Surface Science 2015, 331, 285）。因为不同物质被离子击出的溅击产额不同，因此不容易控制化合物的成份组成与性质。上打光太阳光谱模拟滤光片

撞击出来的铬离子与通入的氧气与氮气发生化学反应生成氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬。上海下打光太阳光谱模拟代理

et(d，α，z)＝ed(d，α，z)+es(α，z)，(12)其中，ed(d，α，z)与es(α，z)可从操作s102中得出。s104，针对于不同拍摄日期、和/或不同拍摄时间、和/或拍摄位置对应的所述地球静止轨道卫星光学遥感图像，计算各自对应的太阳总辐照强度相互之间的差值，得到各个地球静止轨道卫星光学遥感图像之间的太阳光照补偿值。从方程(12)可以看出，由于太阳高度角α(x，y，d，t)由遥感图像中像素点坐标值(x，y)、图像拍摄时间在一年中的第d天和拍摄时间t决定，因此太阳总辐照强度et(d，α，z)由遥感图像中像素点坐标值(x，y)、(x，y)处的高程z，图像拍摄时间在一年中的第d天和拍摄时间t决定，则et(x，y，z，d，t)≡et(d，α，z).(1)上海下打光太阳光谱模拟代理

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