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因此，对于地球静止轨道光学遥感卫星在不同日期、不同时间、不同地点拍摄图像的太阳光照补偿值为δet＝et(x1，y1，z1，d1，t1)-et(x2，y2，z2，d2，t2)，(2)其中，下角标1和2**两个不同拍摄日期、和/或时间和/或位置。至此，通过获取地球静止轨道卫星光学遥感图像的尺寸、地理经度区间、地理纬度区间、拍摄日期、拍摄时刻和拍摄位置高程，基于上述方法，实现对于不同日期、不同时间、不同地点拍摄的地球静止轨道卫星光学遥感图像的太阳光照补偿值计算。图3示意性示出了根据本发明一示例性实施例的太阳光照补偿值计算装置的框图，如图3所示，该装置300例如可以包括获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330和第三计算模块340。撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜。青海销售太阳光谱模拟低价

根据拍摄时刻和所地理经度，计算拍摄时刻的太阳时角。在本实施例一可行的方式中，可根据ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)计算太阳时角，其中，t为拍摄时刻，ω(x，t)为坐标为(x，y)的像素点在t时刻对应的太阳时角。s24，根据太阳赤纬角、太阳时角和地理纬度，计算拍摄时刻的太阳高度角。在本实施例一可行的方式中，可根据α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)计算太阳高度角α(x，y，d，t)。青海销售太阳光谱模拟低价反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材。

例如，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330和第三计算模块340中的任意多个可以合并在一个模块中实现，或者其中的任意一个模块可以被拆分成多个模块。或者，这些模块中的一个或多个模块的至少部分功能可以与其他模块的至少部分功能相结合，并在一个模块中实现。根据本发明的实施例，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330及第三计算模块340中的至少一个可以至少被部分地实现为硬件电路，例如现场可编程门阵列(fpga)、可编程逻辑阵列(pla)、片上系统、基板上的系统、封装上的系统、**集成电路(asic)，或可以通过对电路进行集成或封装的任何其他的合理方式等硬件或固件来实现，或以软件、硬件以及固件三种实现方式中任意一种或以其中任意几种的适当组合来实现。或者，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330及第三计算模块340中的至少一个可以至少被部分地实现为计算机程序模块，当该计算机程序模块被运行时，可以执行相应的功能。

在本申请的一个实施例中，步骤2)中，靶材为铜靶，氩气流量为50～500sccm，制得的低发射率膜的厚度为180～220nm。在本申请的一个实施例中，步骤3)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～300sccm，氮气流量为10～100sccm，制得的缓冲膜的厚度为30～150nm。在本申请的一个实施例中，步骤4)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～500sccm，氮气流量为10～200sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的过渡膜的厚度为30～100nm。在本申请的一个实施例中，步骤5)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～300sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的吸收膜的厚度为30～120nm。反应性溅镀制备强化膜：在***真空镀膜室中，氩离子撞击靶材。

et(d，α，z)＝ed(d，α，z)+es(α，z)，(12)其中，ed(d，α，z)与es(α，z)可从操作s102中得出。s104，针对于不同拍摄日期、和/或不同拍摄时间、和/或拍摄位置对应的所述地球静止轨道卫星光学遥感图像，计算各自对应的太阳总辐照强度相互之间的差值，得到各个地球静止轨道卫星光学遥感图像之间的太阳光照补偿值。从方程(12)可以看出，由于太阳高度角α(x，y，d，t)由遥感图像中像素点坐标值(x，y)、图像拍摄时间在一年中的第d天和拍摄时间t决定，因此太阳总辐照强度et(d，α，z)由遥感图像中像素点坐标值(x，y)、(x，y)处的高程z，图像拍摄时间在一年中的第d天和拍摄时间t决定，则et(x，y，z，d，t)≡et(d，α，z).(1)这一新设备利用了聚光光伏(CPV)电池板，利用透镜将太阳光集中到微小尺度的太阳能电池上。辽宁上打光太阳光谱模拟工厂

经检测，本申请制备的膜层的吸收率为93％～97％，比现有技术中膜层的吸收率提高了3％～9％。青海销售太阳光谱模拟低价

步骤5)中，靶材为铬靶，功率为11kw，电压为500v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为110sccm，氧气流量为90sccm，制得的吸收膜的厚度为80nm；6)反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸热体的基材的外表面上制得包括6层的膜层；步骤6)中，靶材为硅靶，功率为6kw，电压为560v，真空度为8.0e-6torr，镀膜速度为6mm/s，氩气流量为220sccm，氧气流量为30sccm，制得的抗反射膜的厚度为120nm。青海销售太阳光谱模拟低价

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