东莞N沟道场效应管MOS

    由于耗尽型N沟道MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量的Na+或K+正离子（制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子），当VGS=0时，这些正离子产生的电场能在P型衬底中感应出足够的电子，形成N型导电沟道；当VGS>0时，将产生较大的ID（漏极电流）；如果使VGS<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。这些特性使得耗尽型MOS管在实际应用中，当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效；不易被控制，使得其应用极少。因此，日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题，在驱动中，通常还是使用NMOS替代，这也是市面上无论是应用还是产品种类，增强型NMOS管**非常为常见的重要原因，尤其在开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS管。 场效应管按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。东莞N沟道场效应管MOS

场管效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用非常为多方面的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及非常近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。惠州IC保护场效应管价格MK3401场效应管规格书。

2N7002和2N7002K是一款带ESD防静电保护的场效应管，封装形式为SOT-23，深圳市盟科电子科技有限公司从2010年成立至今一直专注场效应管的研发、生产和应用。主要生产场效应管，三极管，二极管，可控硅，LDO等。质量可靠，且提供全程的售前售后服务。这款2N7002产品是N沟道增强型带静电保护MOS，ESD可达2000V，其电压BVDSS是大于60V，电流ID可达300mA，阻抗Rdon在VGS@10V档位下典型值为1欧姆，开启电压VGS(th)典型值在2-4V。本款产品包装为3000PCS，标准丝印为7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以产出。主要用于电脑主板，键盘鼠标等。

场效应管(Field-Effect Transistor)也是一种具有PN结结构的半导体器件，简称FET, 它与三极管的不同之处在于它是电压控制器件。通过改变栅极的电压可以控制漏极和源极之间的电流，场效应管具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，但容易被击穿。场效应管按其结构不同分为两大类，即绝缘栅型场效应管和结型场效应管。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体材料制成，简称MOS管。M0S管按其工作状态可分 为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。国内品质比较好的场效应管厂家。

场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。由于场效应管是电压型控制器件，它的栅极几乎不取电流，输入阻抗非常高，其实要想获得较大恒流输出，并且精度提高可以采取基准源与比较器结合方法来获得所需要的效果。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。大23场效应管代理品牌

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    场效应管和晶闸管都是电子电路中常用的开关型器件，但是两者存在本质的区别。场效应管包括结型场效应管JFET和金属-氧化物半导体场效应管MOSFET。而晶闸管一般是指可控硅，可控硅按照导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其中栅极G为控制端，源极S和漏极D为输出端。PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会形成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会形成N沟道，所以叫做N沟道MOS。MOS管是电压驱动型的器件，主要用作可控整流、功率开关、信号放大等，应用比较多方面。MOS管的通道依靠VGS的电平，对于NMOS而言，VGS》0时，NMOS导通，否则NMOS截止；对于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，否则截止。晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。 东莞N沟道场效应管MOS

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