陕西快恢复可控硅模块

时间:2023年09月02日 来源:

可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象,其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时,其线圈中的电流通路被切断,其变化率极大,因此在电感上产生一个高电压,这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端,然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止,在这一过程中将产生极大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上,并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间,这种脉冲具有很高的幅度,很宽的频率,因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。淄博正高电气有限公司以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!陕西快恢复可控硅模块

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正高可控硅拥有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,受到了众多客户的喜爱和欢迎。目前,正高可控硅以其稳定的性能等特点,应用于各行业,畅销省内外地区。 

可控硅模块的分类   

可控硅模板从X芯片上看,可以分为可控模块和整流模块两大类,从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。 陕西快恢复可控硅模块淄博正高电气有限公司在行业的影响力逐年提升。

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实际上,可控硅模块元件的结温不容易直接测量,因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度(即壳温Tc)来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度,知道了壳温也就知道了结温,而相当高壳温Tc是限定的,由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度(温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置)。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路,分别控制风机的开启或主回路的通断(停机),就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是,温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度,易受环境、空气对流的影响,与模块和散热器的接触面上的温度Tc,还有一定的差别(大约低几度到十几度),因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。

相信大家对于可控硅模块并不陌生了,现代在电气行业的不断发展,可控硅模块的使用范围越来越广,但是你对可控硅模块的了解有多少呢,它的主要参数有哪些你知道吗?下面为大家讲解。


可控硅模块的主要参数有:


(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。


(2) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅模块两端的正向峰值电压。可控硅模块承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。


(3) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅模块两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 淄博正高电气有限公司在客户和行业中树立了良好的企业形象。

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可控硅模块特点:

1 对耐压级别的选择:通常把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。

2 对电流的确定:由于双向可控硅模块通常用在交流电路中,因此不能用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小,因而一般家电中选用可控硅模块的电流值为实际工作电流值的2~3倍。同时,可控硅承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM和IRRM。

3 对通态电压VTM的选择:它是可控硅模块通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为了减少可控硅的热损耗,应尽可能选择VTM小的可控硅。

4 对维持电流:IH是维持可控硅模块保持通态所必 需的极小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

5 对电压上升率的:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是防止误触发的一个关键参数。由于双向可控硅模块的制造工艺决定了A2与G之间会存在寄生电容。 淄博正高电气有限公司团队从用户需求出发。济南大功率可控硅模块哪家好

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选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。


1.可控硅模块的冷却及环境条件:

(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,压强0.2±0.03Mpa。水温≤35℃. 水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;

(4)空气相对湿度≤85%;

(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;

(6)气压86—106Kpa;

(7)无剧烈震动或冲击;

(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。 陕西快恢复可控硅模块

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