温州快恢复二极管分类

二极管的发现和发展:1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。20世纪初，由于无线电接收器探测器的需要，热离子二极管（真空管）和固态二极管（半导体二极管）大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前，真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管（猫须探测器）并不稳定，并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成，二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气整流器处理一些高电压、高电流整流任务的能力更是远在半导体二极管（如硒整流器）之上。现如今的二极管大多是使用硅来生产，锗等其它半导体材料有时也会用到。目前常见的结构是，一个半导体性能的结晶片通过PN结连接到两个电终端。 在电路中，隔离二极管通常被用来隔离高电压和低电压电路，以保护低电压电路不受高电压电路的影响。温州快恢复二极管分类

二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。杭州快恢复二极管特点在交流电中，二极管可以用来整流，将交流电转换成直流电。

二极管PN结形成原理：P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二极管种类：PN结二极管（PN Diode）施加顺向偏压，利用半导体中PN接合的整流性质，是基本的半导体二极管，常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN接面的条目。萧特基二极管利用金属和半导体二者的接合面的'萧特基效应'的整流作用。由于顺向的切入电压较低，导通回复时间也短，适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多，突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管（Reference Diode）（常用称法：齐纳二极管）施加逆向偏压，超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小，具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度，决定击穿电压（破坏电压）。其顺向偏压与一般的二极管相同。 二极管的工作温度范围通常为-55℃至+150℃。

点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。其PN结的静电容量小，适用于高频电路。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大电流和整流。将细铝丝的一端接在阳极引线上，另一端压在掺杂过的N型半导体上。加上电压后，细铝丝在接触点处融化并渗入融化部分的中。这样，接触点实际上是P型半导体，并附着在N型半导体上形成PN结。反向偏置时，二极管具有高电阻，不导电。广州常用二极管使用注意事项

二极管的反向漏电流称为反向饱和电流。温州快恢复二极管分类

反向偏压（Reverse Bias）在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为逆向偏压。这种情况下，因为N型区域被注入电洞，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的空乏层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟著变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。实际的元件虽然处于反向偏压状态，也会有微小的反向电流（饱和电流、漏电流、漂移电流）通过。当反向偏压持续增加时，还会发生隧道击穿或雪崩击穿或崩溃，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为击穿电压。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为击穿区（崩溃区）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。 温州快恢复二极管分类