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ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压:±3.3VMax
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 ESD54211N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:WBFBP-02C-C。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD02127C
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ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器
产品描述:
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。
规格特性:
· 工作峰值反向电压:5V
· 低漏电流:<1uA@3V
· 高ESD保护水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性:
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面,易于焊接
应用领域:
· 手机和配件
· 个人数字助理(PDA)
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5301NWL2836D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:UDFN-4-EP(1x1)。
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WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
1、截止电压:5V
2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低电容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流:IR<1nAtyp.
7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 RB520S30-2/TR 肖特基二极管 封装:SOD-523。
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ESD73011N:单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器
ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.40pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=9.5V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WS3202E61-6/TR 过压过电流保护IC 监控和复位芯片 封装:SOT-23-6L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56441D
ESD54191CZ-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DWN0603-2L。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD02127C
RB521C30:肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性:
100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。
低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装:这款二极管采用紧凑的SOD-923封装,使其适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备和小型电路板。
应用领域:
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中,它能够将交流信号转换为直流信号,这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性,它特别适用于需要高效能和低功耗的场合,如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外,其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD02127C
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