中文资料WILLSEMI韦尔SPD84201C
ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。
特性：
· 截止电压：5V
· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WS3222D-8/TR 功率电子开关 封装：WDFN-8-EP(2x2)。中文资料WILLSEMI韦尔SPD84201C
WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET
产品描述
WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装
产品特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD9N18BAESD9N5B-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2。
SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。
主要特性：
· 截止电压：5V
· 每条线路均符合IEC61000-4-2（ESD）标准的瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
· 符合IEC61000-4-4（EFT）标准的瞬态保护：40A（5/50ns）
· 符合IEC61000-4-5（浪涌）标准的瞬态保护：4A（8/20μs）
· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）
· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）
· 低箝位电压：VCL=20V@IPP=16A（TLP）
· 固态硅技术
应用领域：
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害，确保信号完整性，承受力强。适合紧凑设备，环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。
WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。
主要特性：
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 适用于高直流电流的优异导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域：
· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动
· DC-DC转换器电路
· 电源开关
· 负载开关
· 充电电路
WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD54031Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。
WL2815低功耗CMOSLDO（低压差线性稳压器）
产品描述：
WL2815系列是一款低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
静态电流：1.5μA（典型值）
输入电压：2.1V~5.5V
输出电压：1.1V~3.3V
输出电流：@VOUT=3.3V时为300mA
输出电流：@VOUT=2.0V时为200mA
输出电流：@VOUT=1.5V时为150mA
压差电压：@100mA时为100mV
推荐电容器：1uF或更大
工作温度：-40°C至+85°C
输出短路保护
应用领域：
MP3/MP4播放器
手机
蓝牙耳机
无线鼠标
其他电子设备
WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器，性能优异，低静态电流，高效能，延长电池寿命。优化设计，使用低成本陶瓷电容器，在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装，符合环保标准，是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 WS742905M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。规格书WILLSEMI韦尔SPD8811B
WS72552M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。中文资料WILLSEMI韦尔SPD84201C
ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。
其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。
应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 中文资料WILLSEMI韦尔SPD84201C
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