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ESD5451N:双向瞬态电压保护神
ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电,以及峰值脉冲电流达8A(8/20μs),为低速数据线和控制线提供强大的保护
这款抑制器采用DFN1006-2L封装,具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax,电容典型值为17.5pF,漏电流极低,典型值小于1nA。此外,其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。
ESD5451N适用于多种应用场景,包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性,为电子设备提供了可靠的保障。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 WS72412S-8/TR 运算放大器 封装:SOIC-8。中文资料WILLSEMI韦尔WD3103C
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WL2834CAESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
ES9DN12BA瞬态电压抑制器
ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性:
· 截止电压:±12V。
· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)
· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)
· 典型电容:CJ=27pF
· 极低泄漏电流:IR=0.1nA
· 低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。
· 固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。
应用:
· 计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。
· 手机
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器
ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)
· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域包括:
· USB接口
· HDMI接口
· DVI
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WCM2001-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L-EP(2x2)。
WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性:
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围:0.8V至5.5V
· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电(QOD)
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域:
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。 WS3222D-8/TR 功率电子开关 封装:WDFN-8-EP(2x2)。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5451N
WNM2016A-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23-3。中文资料WILLSEMI韦尔WD3103C
ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
1、截止电压:5V
2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低电容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流:IR<1nAtyp.
7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WD3103C
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