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雪崩二极管的结构可分为两大类:单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻,且频带较宽,因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的,其结构为PPNN,实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联,从而有效地利用了电子和空穴漂移空间,因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源,特别是毫米波发射源的主要功率器件,泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。成都激光光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳直流光电测量
光电二极管的基本输出是从阴极流过器件到阳极的电流,与照度大致成线性比例。(不过请记住,光电流的大小也受入射光波长的影响——在下一篇文章中将对此进行更多介绍。)光电流通过串联电阻或电流转换为电压以进行进一步的信号处理-电压放大器。光电流光电二极管的基本输出是从阴极流过器件到阳极的电流,与照度大致成线性比例。(不过请记住,光电流的大小也受入射光波长的影响——在下一篇文章中将对此进行更多介绍。)光电流通过串联电阻或电流转换为电压以进行进一步的信号处理-电压放大器。光电二极管的光电流关系的细节将根据二极管的偏置条件而变化。这是光伏模式和光电导模式之间区别的本质:在光伏实施中,光电二极管周围的电路使阳极和阴极保持相同的电位;换句话说,二极管是零偏置的。在光电导实施中,光电二极管周围的电路施加反向偏压,这意味着阴极的电势高于阳极。四川高精度光电管四川可见光光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。
雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是,除了线性雪崩模式之外,它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下,光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式,即“亚盖革模式”。在光纤通信(OFC)系统中,雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别,但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比(S/N)。这里,SNR是为了获得完美的信噪比,量子效率应该很高,因为这个值几乎是最大值,所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管,它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与PIN型光电二极管相比,这些二极管测量低范围光,因此用于需要高灵敏度不同的应用中,如光距离测量和远距离光通信。
两个光电二极管之间的电路结构简单,可以用一个偏置电容来加强两个光电二极管之间的电压比例。当电容小于某个电压时,这两个光电二极管就会被压成一个接触,这个接触就叫做雪崩,由此可以看出,这就是雪崩光电二极管的来源。当一个电信号经过两个光电二极管的同一根输入线时,两个光电二极管的偏置电压和信号的输出电流可以产生强烈的对比度,有较大的截止电压差。因此,雪崩光电二极管可以作为高速和高性能的光电门用于高速连接器和网络设备领域。雪崩光电二极管具有高速、高抗干扰、高测试特性,可以快速捕捉工程负载中容易破坏的脉冲。低噪声光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。
当一个电信号通过两个光电二极管时,电容就会快速放电,两个光电二极管就会发出噪声信号,这就形成了雪崩效应。当这两个光电二极管进行驱动恢复时,电容又会收缩,进行了新的电信号的新的刺激,这样就可以控制雪崩光电二极管的速度和准确性。从外形和用途来看,雪崩光电二极管是一种PC端型的特殊光电探测器,但它的功能强大得多。它的特点包括:高速性能,可以快速捕获容易破坏的脉冲,可以保护工程负载中的信号;高抗干扰性,能够适应较大的电磁干扰;自动跳闸开关,电路中有一个自动跳闸开关芯片可以将脉冲电压快速掐断;雪崩特性,在输入信号电压变化范围内,其开关特性几乎不受影响。重庆红外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳红外光电测试
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向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先,如上一篇文章所述,较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此,当您想要产生与照度相关的更多输出信号时,光电导模式是一个不错的选择。其次,较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中,反馈电阻和结电容(以及其他电容源)的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样,减小电容会增加截止频率。因此,光电导模式允许更宽的带宽,并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量,您可以使用光电导模式,然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住,更多的反向偏压也会增加暗电流。深圳直流光电测量
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