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时间:2024年04月23日 来源:

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性:

· 极低电容:CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7037AT6-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:SMD-4P,3x3.8mm。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2834CA

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      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。此外,其低dropout电压(170mV@IOUT=200mA)和极低静态电流(70μA)使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广,包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师,还是对于寻求成本效益的生产商,WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销,并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技,您将获得优异的产品和服务。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS72041WL2801E33-5/TR 线件稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。

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     ESD5451X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5451X可提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达8A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅、无卤素。

特点:

· 反向截止电压:±5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):8A(8/20μs)

· 电容:CJ=17.5pFtyp

· 低漏电流:IR<1nAtyp

· 低钳位电压:VCL=9Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术


应用:

· 手机

· 平板

· 电脑

· 笔记本电脑

· 其他便携式设备

· 网络通信设备

     ESD5451X是高性能瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力影响。适用于手机、平板、笔记本等便携式设备,双向保护,应对极端电气环境。低漏电流、低钳位电压,不影响设备正常工作。固态硅技术,稳定可靠。各方面保护现代电子设备,消费者和制造商的理想选择。详情查阅手册或联系我们。

ESD5305F:四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述:ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管,以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封装,满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性:

反向截止电压:5V

根据IEC61000-4-2标准,每条线路提供±30kV(接触放电)的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准,可承受高达6A(8/20μs)的峰值脉冲电流

低电容:CI/O-GND=0.65pF(典型值,Vcc=浮动状态);CI/O-GND=0.35pF(典型值,Vcc=5V)

极低泄漏电流:IR<1nA(典型值)

低钳位电压:VCL=16.5V@IPP=16A(TLP)

采用固态硅技术

应用领域:

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56151W04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。

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WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述:

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压


应用领域:

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5304D

WS3222D-8/TR 功率电子开关 封装:WDFN-8-EP(2x2)。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2834CA

ESD5451N:双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电,以及峰值脉冲电流达8A(8/20μs),为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装,具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax,电容典型值为17.5pF,漏电流极低,典型值小于1nA。此外,其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景,包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备,以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性,为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 代理分销商WILLSEMI韦尔WL2834CA

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