代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002
RB521S30肖特基势垒二极管
特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用:低电流整流
介绍:
RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。
此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是无铅器件,符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强,无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时,也符合了环保要求。
总的来说,RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性,成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师,都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002
ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器
产品描述:
ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。
规格特性:
· 工作峰值反向电压:5V
· 低漏电流:<1uA@3V
· 高ESD保护水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四级ESD保护
· IEC61000-4-4四级EFT保护
· 五种单独的单向配置
机械特性:
· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳
· 耐腐蚀表面,易于焊接
应用领域:
· 手机和配件
· 个人数字助理(PDA)
· 笔记本电脑、台式机和服务器
· 便携式仪器
· 数码相机
· 外设MP3播放器
ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM4006WS72042M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。
WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO
产品描述:
WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:1.4V~5.5V
· 输出电压范围:0.8V~3.3V
· 输出电流:300mA
· 静态电流:50μATyp
· 关机电流:<1μA
· 压降电压:140mV@IOUT=0.3A
· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V
· 低输出电压噪声:20μVRMSTyp
· 输出电压容差:±2%@VOUT>2V
· 推荐电容器:1μF
· 热过载和短路保护
应用领域
· MP3/MP4播放器
· 手机、无线电话、数码相机
· 蓝牙、无线手持设备
· 其他便携式电子设备
WL2836E是高性能CMOS线性稳压器,专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能,提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装,无铅无卤素,满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。
WAS4729QB:低导通电阻(0.8Ω)双SPDT模拟开关,具有负摆幅音频功能
产品描述:
WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷(SPDT)模拟开关,具有负摆幅音频功能,其典型导通电阻Ron为0.8Ω(在3.6VVCC下)。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作,并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路,即使在控制电压低于VCC电源电压时,也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用,因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口,同时极大限度地减少电池消耗。换句话说,在实际应用中,无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
供电电压:2.3V~5.5V
极低导通电阻:0.8Ω(在3.6V下)
高关断隔离度:-81dB@1KHz
串扰抑制:-83dB@1KHz-3dB带宽:80MHz
轨到轨信号范围
先断后通开关
HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV
电源至GND:±5KV
应用领域
手机、PDA、数码相机和笔记本电脑
LCD显示器、电视和机顶盒
音频和视频信号路由
WAS4729QB是高性能模拟开关,专为移动设备设计,适合音频和视频信号路由,性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WMM7040DTHN0-8/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:SMD-8P,3x4mm。
WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET
产品描述:
WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要,因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的导通电阻(RSS(ON))和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 锂离子电池保护电路
WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET,特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局,而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外,其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM2019-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-523-3。规格书WILLSEMI韦尔ESD56151D04
WAS4729QB-10/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN-10(1.8x1.4)。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002
上一篇: 中文资料ST先科ESDLC054D
下一篇: 规格书ST先科ESDULC6-4D