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时间:2024年05月08日 来源:

ESD56151Wxx:电源保护新选择

     ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器,是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V,有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准,为电路提供强大的浪涌保护,同时遵循IEC61000-4-2标准,提供±30kV的ESD保护。 

     ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计,能迅速将电压限制在安全范围内,减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性,确保在长期使用中仍能保持优异的性能。 

     这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景,如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口,提高设备稳定性和可靠性,延长使用寿命,降低维修和更换成本。 

     安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 WL2836D18-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:XDFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔WNM6002

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ESD5341N:单线、单向、低电容瞬态电压抑制器

     ESD5341N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它被特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。ESD5341N包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。

其主要特性包括:

· 截止电压:5V

· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

· 低电容:CJ=1.0pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5341N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,特别适用于需要高数据传输速率和严格ESD防护的应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系制造商。 中文资料WILLSEMI韦尔SPD82581BESD5B5VL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。

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WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

输入电压范围:2.7~5.5V

开路LED保护:38V(典型值)

参考电压:200mV(±5%)

开关频率:1MHz(典型值)

效率:高达92%

主开关电流限制:1.2A(典型值)

PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM

调光占空比:0.5%~100%

应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。

    WS72551和WS72552系列放大器具有极低的偏移、漂移和偏置电流。其中,WS72551是单放大器,WS72552是双放大器,分别具有轨到轨的输入和输出摆动。所有放大器都保证在2.5V至5V的单电源下工作。72551/72552提供了之前在昂贵的自动调零或斩波稳定放大器中才能找到的优势。这些新型零漂移放大器结合了低成本和高精度,并且不需要外部电容器。规格72551/72552适用于扩展的工业/汽车温度范围(-40°C至+125°C)。封装72551:MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8  SOIC8。

    技术特性:偏移电压只有3μV,漂移为0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常适合于无法容忍误差源的应用。温度、位置和压力传感器、医疗设备和应变计放大器在其工作温度范围内几乎无漂移,因此受益匪浅。WS72551/WS72552提供的轨到轨输入和输出摆动使得高侧和低侧感测都变得容易。

应用领域:

温度传感器

压力传感器

精密电流感测

应变计放大器

医疗仪器

热电偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具备极低偏移和漂移、高精度以及轨到轨输入输出摆动等特性,适用于温度、压力、电流感测等多种应用,为工程师提供高精度测量解决方案。紧凑封装使其成为空间受限应用的理想选择。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 ESDA6V8AV6-6/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-563。

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    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管,专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻(RDS(ON)),从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时,低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号,进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器,其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外,它还可以用于各种充电电路,如电池充电器和太阳能充电器,以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品,WNM2020不仅具有出色的电性能,还符合环保要求,不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之,WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管,非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。代理分销商WILLSEMI韦尔WSB5523D

WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323-3。中文资料WILLSEMI韦尔WNM6002

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

截止电压:5V

根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

极低电容:CJ=0.25pF(典型值)

极低漏电流:IR<1nA(典型值)

低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNM6002

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