安徽防爆特种封装供应

功率器件模块封装结构演进趋势，IGBT作为重要的电力电子的主要器件，其可靠性是决定整个装置安全运行的较重要因素。由于IGBT采取了叠层封装技术，该技术不但提高了封装密度，同时也缩短了芯片之间导线的互连长度，从而提高了器件的运行速率。按照封装形式和复杂程度，IGBT产品可以分为裸片DIE、IGBT单管、IGBT模块和IPM模块。1、裸片DIE：由一片晶圆切割而成的多颗裸片DIE；2、IGBT单管：由单颗DIE封装而成的IGBT分立器件，电流能力小，适用于家电等领域；3、IGBT模块：由多颗DIE并联封装而成，功率更大、散热能力更强，适用于新能源汽车、高铁、光伏发电等大功率领域；4、IPM模块：在IGBT模块外部增加其他功能的智能功率模块（IPM）。对于需要散热效率高的电子器件或模块，使用高导热 TO 外壳封装能够达到更好的散热效果。安徽防爆特种封装供应

芯片在许多方面都是现代经济的命脉。它们为电脑、智能手机、汽车、电器和其他许多电子产品提供动力。但自口罩以来，世界对它们的需求激增，这也导致供应链中断，导致全球短缺。随着5G、高性能运算、人工智能（AI）和物联网技术的迅速发展，数字化进程加快，芯片市场需求提高明显。另一方面，口罩爆发催生出了“宅经济”效应，远程办公及学习人数剧增，数码设备需求加大也推动着芯片需求上升。电子系统的集成主要分为三个层次（Level）：芯片上的集成，封装内的集成，PCB板级集成，如下图所示：山西芯片特种封装晶体管外形封装，TO252和TO263就是表面贴装封装。

按照封装工艺的不同，封装基板可分为引线键合封装基板和倒装封装基板。其中，引线键合（WB）使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与芯片焊盘、基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通，大量应用于射频模块、存储芯片、微机电系统器件封装；倒装（FC）封装与引线键合不同，其采用焊球连接芯片与基板，即在芯片的焊盘上形成焊球，然后将芯片翻转贴到对应的基板上，利用加热熔融的焊球实现芯片与基板焊盘结合，该封装工艺已普遍应用于CPU、GPU及Chipset等产品封装。此外，按照应用领域的不同，封装基板又可分为存储芯片封装基板、微机电系统封装基板、射频模块封装基板、处理器芯片封装基板和高速通信封装基板等，主要应用于移动智能终端、服务/存储等。

常见芯片封装类型介绍：直插封装：1、晶体管外形封装（TO）；2、双列直插式封装（DIP）；3、插针网格阵列封装（PGA）；BOX封装。BOX封装是一种大功率半导体器件的封装形式，通常由一个硅基底上的多个直插式器件组成，并通过压轴或贴片方式固定在导热介质上。如图2所示的大尺寸BOX封装示例。对于BOX封装元器件，可采用北京科信生产的FHJ-2储能式封焊机进行封装，该机属于单工位电容储能式电阻封焊机，焊接电流波形具有很宽的调节范围，能够满足不同材料和不同尺寸工件的焊接需求。IC封装，IC(Integrated Circuit)封装是将多个半导体器件（二极管、三极管、MOS管、电容、电阻等）。

IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块，诞生于20世纪80年代，并在90年代进行新一轮的革新升级，通过新技术的发展，现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身，而这些技术特点正式IGBT模块取代旧式双极管成为电路制造中的重要电子器件的主要原因。近些年，电动汽车的蓬勃发展带动了功率模块封装技术的更新迭代。目前电动汽车主逆变器功率半导体技术，表示着中等功率模块技术的先进水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本竞争力是其首先需要满足的要求。LGA封装为底部方形焊盘，区别于QFN封装，在芯片侧面没有焊点，焊盘均在底部。陕西PCBA板特种封装测试

封装是将元器件或芯片封装在外壳中，能够保护芯片、提高元件的机械强度和耐热性等性能。安徽防爆特种封装供应

BGA封装，BGA技术（Ball Grid Array Package）即球栅阵列封装技术。这种技术的出现就成了CPU、高密度、高性能、多引脚包装的较佳选择，如主板南、北桥芯片。BGA封装占用基板面积较大。尽管这项技术的发展I/O引脚数量增加，但引脚之间的距离远远大于QFP，从而提高了组装成品率。该技术采用可控坍塌芯片法焊接，提高了其电热性能。此外，该技术的组装可以通过表面焊接，从而较大程度上提高了包装的可靠性通过该技术实现了包装CPU信号传输延迟小，可以较大程度上提高适应频率。安徽防爆特种封装供应