耐高压二合一锂电保护
DS2730是一款面向65-100W快充应用的电源管理SOC,集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器,支持PD3.0、QC3.0、QC2.0、SCP、FCP、AFC等主流快充协议。结合少量元件即可组成降压型C+CA双路单独的65-100W大功率多口快充解决方案。我们的产品优势:效率高;单芯片,多口;电感可选(双磁环)(双贴片)(单电感);带直通模式;可做小体积,省空间;性价比高,成本优。单电感方案体积小,可适用于空间较小的方案,通过MOS切换,两路都有快充,电压高的的一路直通。芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。耐高压二合一锂电保护
CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片,输入电压范围,能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管,不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件,非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置,恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路,可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时,CN3125自动进入低功耗的睡眠模式,此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。其他功能包括芯片使能输入端,电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。 XB5606A电源管理IC磷酸铁锂充电管理XySemi 锂电保护板生产操作注意事项。
锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路),IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。
DS3056B集成了USBType-C接口、PDPHY以及协议层解析功能,支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别,支持PD、QC、BC1.2DCP快充协议。充电时,上限充电效率为98%。集成了高效的锂电池充电管理模块,根据输入电源电压和电池电压自动匹配较佳的充电方式。涓流充电:电池电压<涓流截止电压时,执行涓流充电。恒流充电:当涓流充电使得电池电压>涓流截止电压时,进入恒流充电。恒压充电:当恒流充电使电池电压接近电池充满电压时,进入恒压充电;充电电流降至停充电流时,停止充电。如果电池电压低于复充门限值,则重新开启电池充电。当锂电池与负载之间发生短路时,保护IC会立即切断电池与负载的连接,以防止电池过放或过热。
智浦芯联创建于苏州市工业园区内,企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计,总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心,宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力,南京、成都均设有研发中心,并与东南大学ASIC中心成为协作单位,在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品,特别在高低压集成半导体技术方面,研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。变更连接在 CCSEL 管脚的下拉电阻的阻值,可以配置应用方案为不同的充电功率。XB3306IFK
监测应用系统中关键元件的温度,并根据温度动态调整输出功率。耐高压二合一锂电保护
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。耐高压二合一锂电保护
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