3月10日至12日上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展

相比硅器件，SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关频率等方面具有较好的优势。耐压方面，SiC MOSFET在6500V时仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在开关频率超过1kHz时，硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）损耗较高，而SiC MOSFET开关损耗相比可降低多达80%，整体功率损耗降低66%。导通电阻方面，SiC MOSFET芯片面积则更小，如在900V导通电阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET还具有高性能体二极管，可减少器件数量和占位面积。SiC MOSFET的工作结温和热稳定性更高，可达200℃或更高，适用于汽车市场，其高耐温性可降低系统散热要求和导通电阻偏移。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！3月10日至12日上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展

碳化硅半导体属于高度技术密集型行业，具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒，高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响，目前各路资本争相投资，碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时，全球碳化硅半导体行业市场集中度较高，市场份额主要被美国、欧洲、日本等國‌家和地区的企业占据，国内企业未来将面临國際先进企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化，会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日至12日上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展2025年3月10日中國‌國際先進陶瓷展，汇聚众多国内外杰出供应商和制造商，诚邀您莅临上海探索无限商机。

注射成型过程中由于工艺参数控制不当，或者是喂料本身缺陷，以及模具设计不合理等因素，容易造成诸如欠注、断裂、孔洞、变形、毛边等各种缺陷。结合具体过程，对常见的注射缺陷进行分析，并加以控制，以提高生产率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模过程中不能充满整个模腔。一般在刚开始注射时产生，可能是由喂料温度或模具温度过低、加料量不足、喂料粘度过大等因素引起的。通过增加预塑时间升高喂料温度、升高模具温度、加大进料量、升高注射温度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、断裂缺陷断裂。一般发生在脱模中，往往是脆断。主要是因为模具温度太低，或者是保压和冷却时间过长，使得坯体温度大幅下降，引起的收缩太大使坯体紧紧箍在下部凸模上，在模具顶出机构的强烈冲击下，很容易引起脆断。通过适当升高模温以及减少保压和冷却时间，在脱模过程中可以避免断裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的横截面上可以发现的孔隙。有的是一个近圆形的小孔，有的就发展为几乎贯穿生坯坯体的中心通孔，这是常见的缺陷，注射成型样品不同部位产生的气孔的原因也不一样。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。

将碳化硅晶锭用X射线单晶定向仪定向，再用精密机械加工成标准尺寸和角度的碳化硅晶棒，并对所有晶棒进行尺寸、角度等指标检测。在考虑后续加工余量后，用金刚石细线切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通过全自动测试设备对面型进行检测。切片作为晶体加工的首要步骤，对后续加工和产能的影响较大。碳化硅的高硬度导致锯线消耗大、加工时间长、废料率高、产量有限、高成本等问题。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。五展联动；第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会（PM CHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEX CHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观！“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会：2025年3月10-12日与您相聚上海，共襄行业盛会！

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结，主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度，经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行，此方法需要较高的烧结温度（超过1000℃）和较长的保温时间。如果烧结温度较低，则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔，材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞，此时材料的电性能较差；烧结温度过高，可能导致晶界的移动速度过快，出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为：陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温，立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比，两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化，在抑制晶界迁移（这将导致晶粒长大）的同时，保持晶界扩散（这是坯体致密化的动力）处于活跃状态，来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间，然后再在较高的温度下保温，后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间，此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。2025年3月10日，让我们相聚中國‌國際先進陶瓷展览会，共商共享，共创未来。探索先進制造的万千可能。3月10日至12日上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展

聚焦前沿技术，展示品质产品，2025年3月10日，来“中國‌國際先進陶瓷展览会”，与行业精英面对面交流！3月10日至12日上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展

碳化硅外延制作方法包括化学气相沉积法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。其中CVD法较为普及，该方法能精确控制生长条件，包括气体源流量、温度和压力，从而精确控制外延层的厚度、掺杂浓度和类型，重复性良好，设备适中，为目前主流技术。液相外延法和分子束外延法虽理论上可行，但外延制作的质量、效率和成本均不如CVD法，不适合商业化应用。碳化硅外延设备的密闭性、气压、气体通入时间、配比和沉积温度均需精确控制。器件耐压提升，厚度和掺杂浓度均匀性的控制难度增加；外延层厚度增加，控制均匀性和缺陷密度的难度增加。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！3月10日至12日上海市国际先进陶瓷及粉末冶金展