粗糙度激光干涉仪位移测量

光束里的光子所拥有的能量与光的频率成正比。假若金属里的自由电子吸收了一个光子的能量，而这能量大于或等于某个与金属相关的能量阈（阀）值（称为这种金属的逸出功），则此电子因为拥有了足够的能量，会从金属中逃逸出来，成为光电子；若能量不足，则电子会释出能量，能量重新成为光子离开，电子能量恢复到吸收之前，无法逃逸离开金属。增加光束的辐照度会增加光束里光子的“密度”，在同一段时间内激发更多的电子，但不会使得每一个受激发的电子因吸收更多的光子而获得更多的能量。换言之，光电子的能量与辐照度无关，只与光子的能量、频率有关。摆动，θx（Φ）和θy（Φ），它是通过组合两个XY-跳动误差水平计算出来的。 其中Φ是围绕Z轴的样本旋转。粗糙度激光干涉仪位移测量

引力波测量干涉仪也可以用于引力波探测(Saulson,1994)。激光干涉仪引力波探测器的概念是前苏联科学家Gertsenshtein和Pustovoit在1962年提出的（Gertsenshtein和Pustovoit 1962。1969年美国科学家Weiss和Forward则分别在1969年即于麻省理工和休斯实验室建造初步的试验系统（Weiss 1972）。截止jin ri，激光干涉仪引力波探测器已经发展了40余年。目前LIGO激光干涉仪实验宣称shou ci直接测量到了引力波 (LIGO collaboration 2016)。LIGO可以认为是两路光线的干涉仪，而另外一类引力波探测实验， 脉冲星测时阵列则可认为是多路光线干涉仪（Hellings和Downs,1983）。白云区非接触激光干涉仪使其可以测量长达40米的距离。

薄膜型半导体应变片

这种应变片是利用真空沉积技术将半导体材料沉积在带有绝缘层的试件上或蓝宝石上制成的。它通过改变真空沉积时衬底的温度来控制沉积层电阻率的高低，从而控制电阻温度系数和灵敏度系数。因而能制造出适于不同试件材料的温度自补偿薄膜应变片。薄膜型半导体应变片吸收了金属应变片和半导体应变片的优点，并避免了它的缺点，是一种较理想的应变片。

外延型半导体应变片

这种应变片是在多晶硅或蓝宝石的衬底上外延一层单晶硅而制成的。它的优点是取消了P-N结隔离，使工作温度大为提高(可达300℃以上)。

干涉仪技术参数：5D/6D标准型：1.线性：0.5ppm.2.测量范围：40米（1D可选80米）3.线性分辨力：0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%显示较大值5.比较大范围：800角秒6.滚动角精度：1.0角秒7.直线度精度：（1.0+0.2/m）um或1%显示较大值8.直线度比较大范围：500um9.垂直度精度：1角秒10.温度精度：0.2摄氏度11.湿度精度：5%12.压力精度：1mmHg

从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 规定电动机的振动小于100nm。

互感器：

电流互感器和电压互感器的统称。

互感器又称为仪用变压器，是电流互感器和电压互感器的统称。能将高电压变成低电压、大电流变成小电流，用于量测或保护系统。其功能主要是将高电压或大电流按比例变换成标准低电压（100V）或标准小电流（5A或1A，均指额定值），以便实现测量仪表、保护设备及自动控制设备的标准化、小型化。同时互感器还可用来隔开高电压系统，以保证人身和设备的安全。

微型电流互感器一次绕组电流I1与二次绕组I2的电流比，叫实际电流比K。微型电流互感器在额定工作电流下工作时的电流比叫电流互感器额定电流比，用Kn表示。Kn=I1n/I2n 膨胀计：热膨胀和磁致伸缩测量。纳米精度激光干涉仪多层厚度测量

检测轴承误差在±5μm之间，由轴承误差引起。粗糙度激光干涉仪位移测量

内光电效应：

当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象。分为光电导效应和光生伏特别的效果应（光伏效应）。

1 光电导效应在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。

2 光生伏特别的效果应“光生伏特别的效果应”，简称“光伏效应”。 粗糙度激光干涉仪位移测量