虹口区HTOL测试机性能

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闪存参考单元包括：衬底100，位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极101和漏极102，位于导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层103、浮栅104、栅间介质层105以及控制栅106,所述栅极单元的两侧分布有侧墙107。栅间介质层105例如可以为依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的多层结构，即为ono结构。具体的，闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元的隧穿氧化层103中捕获(引入)空**3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图，如图3所示，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极101上施加***编程电压vb1，在所述漏极102上施加第二编程电压vb2，在所述控制栅106上施加第三编程电压vb3，在所述衬底100上施加第四编程电压vb4；其中，所述***编程电压vb1小于所述第二编程电压vb2；所述第二编程电压vb2小于所述第三编程电压vb3。所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压vb3的范围为8v～10v,所述第四编程电压vb4的范围为～-1v，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。编译通过热电子注入的方式对所述浮栅104中注入电子。智能HTOL测试机设计上海顶策科技智能HTOL系统，实时监测并记录环境温度，以及每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据。

上海顶策科技有限公司（Topictest）推出的TH801，智能在线监控动态老化设备，可以监控的参数除了整板的电压，电流，还可以根据需求，监控到老化中每颗芯片的电压、电流，寄存器数据，时间，频率等诸多参数，并实时记录保存成Excel文档。这样不仅可以确保每颗芯片都处于正常的老化状态，保证老化测试的质量，同时还可以清楚地知道具体失效的参数，以及在什么时间点失效等诸多信息，非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以监控更多芯片参数，这使得免除ATE回测成为可能，这将大幅度提高老化测试效率，节省更多人力成本！这项技术目前已在对芯片质量要求较高的芯片设计公司广泛应用。

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上海顶策科技TH801智能老化系统，随时导出测试数据，简化可靠性测试溯源问题。虹口区HTOL测试机性能

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