静安区HTOL测试机参数

    芯片可靠性测试（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一项关键性的基础测试，用应力（电压、温度等拉偏）加速的方式模拟芯片的长期运行，评估芯片寿命和长期上电运行的可靠性。广电计量服务内容：老化方案开发测试硬件设计ATE开发调试可靠性试验HTOL试验方案：在要求点(如0、168、500、1000hr)进行ATE测试，确定芯片是否OK,记录每颗芯片的关键参数，并分析老化过程中的变化。对芯片覆盖率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆盖所有memory。3、模拟电路：覆盖PLL/AD/DA/SERDES等关键IP。 上海顶策科技TH801智能老化系统，数据异常自动报警，大幅度降低HTOL问题分析难度。静安区HTOL测试机参数

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涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计，原理图设计，PCBlayout加工制作，老化程序开发调试，可靠性测试试验，出具可靠性报告等一条龙服务。拥有自主研发在线实时单科监测技术的可靠性测试设备，可灵活配置芯片工作状态，并施加信号，非常方便HTOLSetup，实时监测并记录环境温度，以及每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据，确保芯片处于正常HTOL状态，保证HTOL测试质量，全程数据记录，让HTOL问题更容易分析，更有追溯性，让报告更有说服力，下游客户更放心。可靠性事业部提供各类芯片的可靠性测试方案，原理图设计，PCB加工制作，出具可靠性报告等一条龙服务。

本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，TH801智能老化系统，监测数据异常自动报警，实时发现问题并介入分析，可以整体降低30~50%的成本。虹口区HTOL测试机一般多少钱

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    AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品，在HTOL之前进行预处理：等级0：150℃，1000h等级1：125℃，1000h等级2：105℃，1000h等级3：85℃，1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求，通过计算或测量获取HTOL的Tj（结温）；3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj，那么Tj可以代替Ta（环境温度），但是要低于***比较大Tj；4.如果Tj被用来作为HTOL的条件，在Ta和1000h条件下的器件需要使用；(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：。 静安区HTOL测试机参数

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