实验室键合机原理

晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。实验室键合机原理

EVG®510键合机特征 独特的压力和温度均匀性 兼容EVG机械和光学对准器 灵活的设计和配置，用于研究和试生产 将单芯片形成晶圆 各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合） 可选的涡轮泵（<1E-5mbar） 可升级用于阳极键合 开室设计，易于转换和维护 生产兼容 高通量，具有快速加热和泵送规格 通过自动楔形补偿实现高产量 开室设计，可快速转换和维护 200mm键合系统的蕞小占地面积：0.8m2 程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容 技术数据 蕞/大接触力 10、20、60kN 加热器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸单芯片100毫米 真空 标准：0.1毫巴 可选：1E-5mbar福建碳化硅键合机EVG501键合机：桌越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。

EVG®850TB 自动化临时键合系统 全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上 特色 技术数据 全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加，烘焙，将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样，设备布局是模块化的，这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。 由于EVG的开放平台，因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂，例如旋涂热塑性塑料，热固性材料或胶带。

晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线，而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前，将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。像许多其他常见的组件封装类型一样，用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球，将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如，它们通常可以在卷带机上购买，以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。晶圆级涂层、封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并蕞小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。”EVG键合机可使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。碳化硅键合机研发生产

EVG®500系列键合模块-适用于GEMINI，支持除紫外线固化胶以外的所有主流键合工艺。实验室键合机原理

目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层发生氧化就会影响键合质量。实验室键合机原理

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