浦东新区激光干涉仪共焦

常用的测距传感器有超声波测距传感器、激光测距传感器、红外线测距传感器、毫米波雷达传感器。超声测离传感器，精度厘米级，量程不大，对被测物面积有要求，用于物位较多激光测中传感器，精度豪米级，量程很大，阳光对测距有影响，用于远距离变形监测。

1.超声波传感器是一种利用超声波的特性研制而成的传感器。超声波是一种振动频率高于声波的机械波，由换能晶片在电压的激励下发生振动产生的，它具有波长短、绕射现象小、方向性好、等特点。

2.激光传感器主要是利用飞行时间方法来测量距离。其工作时，先由激光二极管对准目标发射激光脉冲，经目标反射后激光向各方向散射，部分散射光返回到传感器接收器。

3.红外测距传感器利用红外信号遇到障碍物距离的不同反射的强度也不同的原理，进行障碍物远近的检测。

4.毫米波雷达通过发射与接收微波来感应物体的存在、运动速度、静止距离、物体所处角度等。采用平面微带天线技术，具有高集成化的特点。

超长距离测量，齿轮传动间隙测量！浦东新区激光干涉仪共焦

双频激光干涉仪：在氦氖激光器上，加上一个约0.03特斯拉的轴向磁场。由于塞曼分裂效应和频率牵引效应,激光器产生1和2两个不同频率的左旋和右旋圆偏振光。双频激光干涉仪是应用频率变化来测量位移的，这种位移信息载于f1和f2的频差上，对由光强变化引起的直流电平变化不敏感，所以抗干扰能力强。它常用于检定测长机、三坐标测量机、光刻机和加工中心等的坐标精度，也可用作测长机、高精度三坐标测量机等的测量系统。利用相应附件，还可进行高精度直线度测量、平面度测量和小角度测量。浦东新区激光干涉仪共焦IDS与各种目标和目标材料兼容。

按一次绕组对地运行状态分一次绕组接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组的末端或三相电压互感器一次绕组的中性点直接接地；一次绕组不接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组两端子对地都是绝缘的；三相电压互感器一次绕组的各部分，包括接线端子对地都是绝缘的，而且绝缘水平与额定绝缘水平一致。按磁路结构分单级式电压互感器：一次绕组和二次绕组 （根据需要可设多个二次绕组同绕在一个铁芯上，铁芯为地电位。我国在及以下电压等级均用单级式；串级式电压互感器：一次绕组分成几个匝数相同的单元串接在相与地之间，每一单元有各自独自的铁芯，具有多个铁芯，且铁芯带有高电压，二次绕组（根据需要可设多个二次绕组处在较为末一个与地连接的单元。我国在电压等级常用此种结构型式；组合式互感器：由电压互感器和电流互感器组合并形成一体的互感器称为组合式互感器，也有把与组合电器配套生产的互感器称为组合式互感器。    

按一次绕组对地运行状态分一次绕组接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组的末端或三相电压互感器一次绕组的中性点直接接地；一次绕组不接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组两端子对地都是绝缘的；三相电压互感器一次绕组的各部分，包括接线端子对地都是绝缘的，而且绝缘水平与额定绝缘水平一致。按磁路结构分单级式电压互感器：一次绕组和二次绕组（根据需要可设多个二次绕组同绕在一个铁芯上，铁芯为地电位。我国在及以下电压等级均用单级式；串级式电压互感器：一次绕组分成几个匝数相同的单元串接在相与地之间，每一单元有各自独自的铁芯，具有多个铁芯，且铁芯带有高电压，二次绕组（根据需要可设多个二次绕组处在较为末一个与地连接的单元。我国在电压等级常用此种结构型式；组合式互感器：由电压互感器和电流互感器组合并形成一体的互感器称为组合式互感器，也有把与组合电器配套生产的互感器称为组合式互感器。传感头的紧凑和模块化设计，以及柔性玻璃纤维使得能够在整个工作范围内快速安装和快速对齐。

体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型：它适合于一般应力测量；②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型：它在比较宽的应力范围内，呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；⑥P-N组合温度补偿型：它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。 更多的测量轴有助于更多的旋转参数：偏心率，表面质量， 倾斜误差和径向运动!珠海纳米精度激光干涉仪

用AquadB数据输出测量。浦东新区激光干涉仪共焦

扩散型半导体应变片这种应变片是将P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。浦东新区激光干涉仪共焦