云南多层磁控溅射分类

直流磁控溅射所用的电源是直流高压电源，通常在300～1000V，特点是溅射速率快，造价低，后期维修保养廉价。可是只能溅射金属靶材，假如靶材是绝缘体，随着溅射的深化，靶材会聚集很多的电荷，导致溅射无法持续。因而关于金属靶材通常用直流磁控溅射，因为造价廉价，结构简略，目前在工业上使用普遍。脉冲磁控溅射是采用脉冲电源或者直流电源与脉冲生成装置配合，输出脉冲电流驱动磁控溅射沉积。一般使用矩形波电压，既容易获得又有利于研究溅射放电等离子体的变化过程。工作模式与中频溅射。射频磁控溅射，又称射频磁控溅射，是一种制备薄膜的工艺，特别是在使用非导电材料时。云南多层磁控溅射分类

反应磁控溅射普遍应用于化合物薄膜的大批量生产，这是因为：(1)反应磁控溅射所用的靶材料(单元素靶或多元素靶)和反应气体(氧、氮、碳氢化合物等)纯度很高，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。(2)通过调节反应磁控溅射中的工艺参数,可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性。(3)反应磁控溅射沉积过程中基板升温较小，而且制膜过程中通常也不要求对基板进行高温加热，因此对基板材料的限制较少。(4)反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。天津多层磁控溅射用处向脉冲更多地用于双靶闭合式非平衡磁控溅射系统，系统中的两个磁控靶连接在同一脉冲电源上。

真空磁控溅射技术是指一种利用阴极表面配合的磁场形成电子陷阱，使在E×B的作用下电子紧贴阴极表面飘移。设置一个与靶面电场正交的磁场，溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。这种技术是玻璃膜技术中的较优先技术，是由航天工业、兵器工业、和核工业三个方面相结合的优先技术的民用化，民用主要是通过这种技术达到节能、环保等作用。

中频磁控溅射镀膜技术已逐渐成为溅射镀膜的主流技术。它优于直流磁控溅射镀膜，因为它克服了阳极的消失并削减或消除了靶材的异常电弧放电。直流磁控溅射适用镀膜设备，适用于笔记本电脑，手机外壳，电话，无线通信，视听电子，遥控器，导航和医疗工具等，全自动控制，配备大功率磁控管电源，双靶替换运用，恒定流输出。独特的工件架设计合理，自传性强，产量大，成品率高。膜层的厚度能够通过石英晶体厚度计测量，并且能够镀覆准确的膜厚度。这两种类型的磁控溅射镀膜机在市场上被普遍运用。直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中，其工艺设备简单，有较高的溅射速率。

真空磁控溅射镀膜技术的特点：1、沉积速率大：由于采用高速磁控电极，可获得的离子流很大，有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比，磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到普遍应用。2、功率效率高：磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压，通常为600V，因为600V的电压刚好处在功率效率的较高有效范围之内。3、溅射能量低：磁控靶电压施加较低，磁场将等离子体约束在阴极附近，可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。单向脉冲正电压段的电压为零!溅射发生在负电压段。云南多层磁控溅射分类

溅射是指荷能颗粒轰击固体表面，使固体原子或分子从表面射出的现象。云南多层磁控溅射分类

磁控溅射技术得以普遍的应用,是由该技术有别于其它镀膜方法的特点所决定的。其特点可归纳为:可制备成靶材的各种材料均可作为薄膜材料,包括各种金属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化物、陶瓷等物质,尤其适合高熔点和低蒸汽压的材料沉积镀膜在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积所需组分的混合物、化合物薄膜;在溅射的放电气中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜;控制真空室中的气压、溅射功率,基本上可获得稳定的沉积速率,通过精确地控制溅射镀膜时间,容易获得均匀的高精度的膜厚,且重复性好;溅射粒子几乎不受重力影响,靶材与基片位置可自由安排;基片与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上,且由于溅射粒子带有高能量,在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜,同时高能量使基片只要较低的温度即可得到结晶膜;薄膜形成初期成核密度高,故可生产厚度10nm以下的极薄连续膜。云南多层磁控溅射分类

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