广州光学真空镀膜

时间:2023年11月27日 来源:

真空镀膜:真空溅射法:真空溅射法是物理的气相沉积法中的后起之秀。随着高纯靶材料和高纯气体制备技术的发展,溅射镀膜技术飞速发展,在多元合金薄膜的制备方面显示出独到之处。其原理为:稀薄的空气在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下,对阴极靶材料表面进行轰击,把靶材料表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方法射向基体表面,在基体表面形成镀层。特点为:镀膜层与基材的结合力强;镀膜层致密、均匀;设备简单,操作方便,容易控制。主要的溅射方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射等。目前应用较多的是磁控溅射法。真空镀膜中离子镀的镀层棱面和凹槽都可均匀镀复,不致形成金属瘤。广州光学真空镀膜

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真空镀膜:众所周知,在某些材料的表面上,只要镀上一层薄膜,就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。20世纪70年代,在物体表面上镀膜的方法主要有电镀法和化学镀法。前者是通过通电,使电解液电解,被电解的离子镀到作为另一个电极的基体表面上,因此这种镀膜的条件,基体必须是电的良导体,而且薄膜厚度也难以控制。后者是采用化学还原法,必须把膜材配制成溶液,并能迅速参加还原反应,这种镀膜方法不仅薄膜的结合强度差,而且镀膜既不均匀也不易控制,同时还会产生大量的废液,造成严重的污染。因此,这两种被人们称之为湿式镀膜法的镀膜工艺受到了很大的限制。阳江新型真空镀膜在建筑和汽车玻璃上使用真空电镀设备技术,镀涂一层TiO2就能使其变成防雾、防露和自清洁玻璃。

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真空镀膜技术:物理的气相沉积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下,因此可作为较终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。采用物理的气相沉积工艺可大幅度提高刀具的切削性能,人们在竞相开发高性能、高可靠性设备的同时,也对其应用领域的扩展,尤其是在高速钢、硬质合金和陶瓷类刀具中的应用进行了更加深入的研究。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体,借助气相作用或基体表面上的化学反应,在基体上制出金属或化合物薄膜的方法,主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。

真空镀膜的方法:真空蒸镀法:真空蒸镀是将装有基片的真空室抽成真空,然后加热被蒸发的镀料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到基片表面,凝结形成固体薄膜的技术。根据蒸发源的不同可以将真空蒸镀分为电阻加热蒸发源、电子束蒸发源、高频感应蒸发源及激光束蒸发源蒸镀法。电阻蒸发源是用低电压大电流加热灯丝和蒸发舟,利用电流的焦耳热是镀料熔化、蒸发或升华。这种方式结构简单,造价低廉,使用相当普遍。采用真空蒸镀法在纯棉织物表面制备负载TiO2织物,紫外线透过率都比未负载的纯棉织物的低,具有好的抗紫外线性能,制备TiO2薄膜时,膜层较均匀,当在玻璃表面蒸镀一层铬钛、镍钛合金等装饰薄膜,装饰效果,光学、耐磨、耐蚀性能良好。真空溅镀的镀层可通过调节电流大小和时间来垒加,但不能太厚,一般厚度在0.2~2um。

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PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激发的状态容易发生反应,以在衬底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜,可以在器件当中作为钝化绝缘层,来提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的气体为硅烷和笑气,氮化硅薄膜主要用到的气体为氨气和硅烷。采用PECVD镀膜对器件有一定的要求,因为工艺温度比较高,所以器件需要耐高温,高温烘烤下不能变形。真空镀膜镀的薄膜与基体结合强度好,薄膜牢固。四川UV真空镀膜

源或靶的不断改进,扩大了真空镀膜材料的选用范围。广州光学真空镀膜

磁控溅射可改变工作气体与氩气比例从而进行反应溅射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氩气作为工作气体,而氮气作为反应气体,反应能得到SiNx薄膜。通入氧气与氮气从而获得各种材料的氧化物与氮化物薄膜,通过改变反应气体与工作气体的比例也能对溅射速率进行调整,薄膜内组分也能相应调整。但反应气体过量时可能会造成靶中毒。解决靶中毒主要有以下几种方法;1.使用射频电源进行溅射;2.采用闭环控制反应气体通入流量;3.使用孪生靶交替溅射;4.控制镀膜模式的变换:在镀膜前,采集靶中毒的迟滞效应曲线,使进气流量控制在产生靶中毒的前沿,确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。广州光学真空镀膜

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