苏州光学真空镀膜

电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，需要在坩埚的结构上做一定的改进，以提高镀膜的效率。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀，将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，薄片只能通过坩埚边沿来导热，散热速率慢，有利于达到材料蒸发的熔点。经验证，采用此种方式镀膜，薄膜均匀性良好，采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。真空镀膜机在集成电路制造中的应用：PVCD技术、真空蒸发金属技术、磁控溅射技术和射频溅射技术。苏州光学真空镀膜

真空镀膜的方法：真空蒸镀法：真空蒸镀是将装有基片的真空室抽成真空,然后加热被蒸发的镀料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到基片表面,凝结形成固体薄膜的技术。根据蒸发源的不同可以将真空蒸镀分为电阻加热蒸发源、电子束蒸发源、高频感应蒸发源及激光束蒸发源蒸镀法。电阻蒸发源是用低电压大电流加热灯丝和蒸发舟,利用电流的焦耳热是镀料熔化、蒸发或升华。这种方式结构简单,造价低廉,使用相当普遍。采用真空蒸镀法在纯棉织物表面制备负载TiO2织物,紫外线透过率都比未负载的纯棉织物的低,具有好的抗紫外线性能,制备TiO2薄膜时,膜层较均匀,当在玻璃表面蒸镀一层铬钛、镍钛合金等装饰薄膜,装饰效果,光学、耐磨、耐蚀性能良好。苏州光学真空镀膜真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果。

真空镀膜：等离子体镀膜：在物理的气相沉积中通常采用冷阴极电弧蒸发，以固体镀料作为阴极，采用水冷使冷阴极表面形成许多亮斑，即阴极弧斑。弧斑就是电弧在阴极附近的弧根。在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。在极小空间的电流密度极高，弧斑尺寸极小，估计约为1μm～100μm，电流密度高达105A/cm2～107A/cm2。

电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、 束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，通过晶振控制，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和各种光学材料薄膜。电子束蒸发的金属粒子只能考自身能量附着在衬底表面，台阶覆盖性比较差，如果需要追求台阶覆盖性和薄膜粘附力，建议使用磁控溅射。在蒸发温度以上进行蒸发试，蒸发源温度的微小变化即可引起蒸发速率发生很大变化。因此，在镀膜过程中，想要控制蒸发速率，必须精确控制蒸发源的温度，加热时应尽量避免产生过大的温度梯度。蒸发速率正比于材料的饱和蒸气压，温度变化10%左右，饱和蒸气压就要变化一个数量级左右。真空镀膜在所有被镀材料中，以塑料较为常见。

真空镀膜：多弧离子镀：多弧离子镀又称作为电弧离子镀，由于在阴极上有多个弧斑持续呈现，所以称作为“多弧”。多弧离子镀的主要特点说明：阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体，而不产生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多个蒸发离化源。镀料的离化率高，一般达60%～90%，卓著提高与基体的结合力改善膜层的性能。沉积速率高，改善镀膜的效率。设备结构简单，弧电源工作在低电压大电流工况，工作较为安全。广东省科学院半导体研究所。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。朝阳新型真空镀膜

在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。苏州光学真空镀膜

PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激发的状态容易发生反应，以在衬底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件当中作为钝化绝缘层，来提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的气体为硅烷和笑气，氮化硅薄膜主要用到的气体为氨气和硅烷。采用PECVD镀膜对器件有一定的要求，因为工艺温度比较高，所以器件需要耐高温，高温烘烤下不能变形。苏州光学真空镀膜